The present invention discloses a trench type MOSFET including a substrate and a substrate, with a plurality of grooves in the epitaxy, a medium layer and a polysilicon in the groove, and a body injection layer on the epitaxial surface, the epitaxial surface has a borosilic silicon glass layer, a metal layer above the borosilicate glass layer, and a groove area in the source area. There is an active injection layer in the body injection layer, and the metal layer is exposed through the contact hole and the body injection layer, and the medium layer in the middle lower part of the groove includes the gate oxide layer, the silicon nitride layer and the silicon oxide layer which are closely attached to the substrate. The process method described in the present invention can control the height of the bottom thick grid at the bottom of the grooves by the selective etching of the polysilicon by the recovery of the polysilicon and the wet method, so that it has better uniformity and is beneficial to the improvement of the performance of the device.
【技术实现步骤摘要】
沟槽型MOSFET及其工艺方法
本专利技术涉及半导体器件及制造领域,特别是指一种沟槽型MOSFET,本专利技术还涉及所述沟槽型MOSFET的工艺方法。
技术介绍
随着电子消费产品需求的增长,功率MOSFET的需求越来越大,例如磁盘驱动,汽车电子以及功率器件等等方面。沟槽型M0S(TrenchM0S)由于其器件的集成度较高,导通电阻较低,具有较低的栅-漏电荷密度、较大的电流容量,因而具备较低的开关损耗和较快的开关速度,被广泛地应用在低压功率领域。现有的制造工艺包括在外延上进行沟槽刻蚀,然后整体淀积一层氧化硅作为厚栅氧化层;然后通过光刻胶及显影步骤保证沟槽底部有足够的光刻胶剩余;然后进行氧化硅湿法刻蚀,去除掉光刻胶以上的全部氧化硅;然后在去除沟槽内的光刻胶。参考图1~4。再进行后续的填充多晶硅等步骤。现有的上述制造工艺流程存在着制约其性能的因素。沟槽底部厚栅氧化层是通过显影步骤的曝光焦距和能量来控制光刻胶剩余来实现的,在实际工艺中受到光刻胶的涂布和曝光步骤的波动性的影响,往往会导致厚栅的形成不均一性,从而影响器件性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种沟槽型MOSFET,本专利技术还要解决的技术问题还在于提供所述沟槽型MOSFET的工艺方法。为解决上述问题,本专利技术所述的一种沟槽型MOSFET,包含:一衬底及衬底之上的外延,外延中具有多个沟槽,所述沟槽内具有介质层并填充多晶硅,在外延表层还具有体注入层,外延表面具有硼磷硅玻璃层;硼磷硅玻璃层之上为金属层;源区沟槽区域的体注入层中还具有源注入层;金属层通过接触孔与体注入层接触引出。所述的沟槽内 ...
【技术保护点】
1.一种沟槽型MOSFET,包含一衬底及衬底之上的外延,外延中具有多个沟槽,所述沟槽内具有介质层并填充多晶硅,在外延表层还具有体注入层,外延表面具有硼磷硅玻璃层;硼磷硅玻璃层之上为金属层;源区沟槽区域的体注入层中还具有源注入层;金属层通过接触孔与体注入层接触引出;其特征在于:所述的沟槽内中下部的介质层依次包含紧贴衬底的栅氧化层、氮化硅层以及氧化硅层。
【技术特征摘要】
1.一种沟槽型MOSFET,包含一衬底及衬底之上的外延,外延中具有多个沟槽,所述沟槽内具有介质层并填充多晶硅,在外延表层还具有体注入层,外延表面具有硼磷硅玻璃层;硼磷硅玻璃层之上为金属层;源区沟槽区域的体注入层中还具有源注入层;金属层通过接触孔与体注入层接触引出;其特征在于:所述的沟槽内中下部的介质层依次包含紧贴衬底的栅氧化层、氮化硅层以及氧化硅层。2.如权利要求1所述的沟槽型MOSFET,其特征在于:所述栅氧化层的厚度为氮化硅层的厚度为氧化硅层的厚度为3.制造如权利要求1所述的沟槽型MOSFET的工艺方法,其特征在于:包含如下工艺步骤:第一步,在衬底上形成外延,外延上形成硬掩膜,涂覆光刻胶图案化,通过光刻胶定义出沟槽区域;第二步,对硬掩膜进行刻蚀,将光刻胶图案转移到硬掩膜上,去除光刻胶;第三步,对外延进行刻蚀,通过硬掩膜的图案,在外延中刻蚀出沟槽;第四步,去除硬掩膜;第五步,在整个外延表面淀积栅氧化层,栅氧化层同时也覆盖沟槽内表面;第六步,再次在整个器件表面淀积氮化硅层,覆盖在栅氧化层表面;第七...
【专利技术属性】
技术研发人员:石磊,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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