The invention discloses a process method for the super junction device. After the groove etching is completed, the first epitaxial filling is carried out, then the shallow junction is injected, and then the second epitaxial filling is carried out until the filling groove is filled to form the P column; the first extension is filled to the remaining depth of the groove to be 1.2 + 0.6 mu m, the injected impurity. The impurity ion is the same as the epitaxial type, and the injected dose is more than 5E12/CM 2, and the injection energy is less than 100KeV, forming a high concentration injection area. The super junction device process method of the invention uses two times filling and one P injection, and the extra P type injection forms a very strong P type area. This technology can improve the high current processing capability of the device and properly improve the on resistance of the device.
【技术实现步骤摘要】
超级结器件的工艺方法
本专利技术涉及半导体器件制造领域，特别是指一种超级结器件的工艺方法。
技术介绍
超级结产品是一种利用PN电荷平衡的体内Resurf技术来提升器件反向击穿BV的同时又保持较小的导通电阻的MOSFET结构。如图1所示，是一种标准的超级结器件的原胞示意图，图中1是多晶硅栅极，2是P型外延，5是重掺杂N型注入区，6是P阱。超级结器件通过利用N/P交替配列的结构来代替传统VDMOS中的N漂移区，它结合业内熟知的VDMOS工艺，就可以制作得到超级结结构的MOSFET，它能在反向击穿电压与传统的VDMOS—致的情况下，通过使用低电阻率的外延层，使器件的导通电阻大幅降低。该薄层中P型杂质的载流子分布和N型杂质的载流子分布以及它们的匹配会影响器件的特性包括其反向击穿电压和电流处理能力。一般器件设计中都采用使交替的P/N薄层即P型薄层和N型薄层中达到最佳的电荷平衡以得到器件的最大的反向击穿电压，传统的超级结器件的工艺都采用外延工艺，一次性填充完成N/P之间的电荷平衡，即图1中的沟槽为外延一次性填满。但这样的条件下器件的电流处理能力EAS不够。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种超级结器件工艺方法，能改善器件的大电流处理能力(EAS)。为解决上述问题，本专利技术所述的一种超级结器件工艺方法：在沟槽刻蚀完成之后，进行第一次外延填充，然后进行浅结注入，然后再进行第二次外延填充，直至填充满沟槽。进一步地，所述第一次外延填充至沟槽剩余深度为1.2±0.6μm。进一步地，所述浅结注入，注入的杂质是与外延类型相同的杂质离子，注入的剂量在5E12/CM-...
【技术保护点】
1.一种超级结器件的工艺方法，其特征在于：在沟槽刻蚀完成之后，进行第一次外延填充，然后进行浅结注入，在第一次外延上形成浓度高于外延的注入区，然后再进行第二次外延填充，直至填充满沟槽形成P柱。
【技术特征摘要】
1.一种超级结器件的工艺方法，其特征在于：在沟槽刻蚀完成之后，进行第一次外延填充，然后进行浅结注入，在第一次外延上形成浓度高于外延的注入区，然后再进行第二次外延填充，直至填充满沟槽形成P柱。2.如权利要求1所述的超级结器件的工艺方法，其特征在于：所述第一次外延填充至沟槽剩余深度为1.2±0.6μm。3.如权利要求1所述的超级结器件的工艺方法，其特征在于：所述浅结注入，注入的杂质是与外延类型相同的杂质...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵龙杰，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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