一种硅片单面处理装置制造方法及图纸

技术编号:18384784 阅读:36 留言:0更新日期:2018-07-08 05:17
本发明专利技术公开了一种硅片单面处理装置,包括底座、伺服电机、丝杠、进给螺母、滑座、下模板、上模座、过渡条、滑动吸取机构、进气通道、进气管、托架、直线模组、立板、调速电机、弹性机构、磨头,将硅片直接置于设置在上模座上的定位槽内,伺服电机带动硅片右移,过渡条对磨头产生推力,弹性机构内的第二弹簧压缩,使得磨头与硅片保持完全接触,同时,直线模组带动立板前后移动,进而带动磨头前后移动,从而完成硅片“扫描”时磨洗。该装置结构简单,能对硅片表面进行自动磨洗处理,而且通过“扫描”式磨洗,能对硅片表面各个地方进行均匀磨洗,清除硅片表面附着的杂质,提高表面处理质量及生产效率,同时,硅片装夹、拆卸方便快捷,效率高。

One kind of silicon single side treatment device

The invention discloses a silicon wafer single side processing device, which includes a base, a servo motor, a screw rod, a feed nut, a sliding seat, a lower template, an upper die seat, a transition strip, a sliding drawing mechanism, an intake passage, an intake pipe, a bracket, a straight line module, a vertical plate, a speed regulating motor, an elastic machine, and a grinding head, and the silicon wafer is directly placed in the setting. In the positioning slot on the upper die seat, the servo motor drives the silicon chip to move right, the transition strip produces thrust to the grinding head, the second spring in the elastic mechanism is compressed to keep the grinding head in full contact with the silicon wafer. At the same time, the linear module drives the vertical plate to move forward and back, and then drives the grinding head to move before and after the \scanning\ of the silicon wafer. Wash. The device is simple in structure, can automatically wash the surface of silicon wafer, and through \scanning\ type grinding, it can wash the surface of silicon surface evenly, remove the impurity on the surface of silicon wafer, improve the quality of surface treatment and production efficiency. At the same time, it is convenient and quick to disassemble and disassemble silicon chip, and the efficiency is high.

【技术实现步骤摘要】
一种硅片单面处理装置
本专利技术涉及一种机械装置,尤其涉及一种硅片单面处理装置。
技术介绍
半导体器件生产中硅片须经严格清洗,微量污染也会导致器件失效,清洗的目的在于清除表面污染杂质,清除污染的方法有物理清洗和化学清洗,物理清洗主要是采用刷洗或擦洗的方法将硅片表面杂质去除,主要是通过人工手动操作,生产效率低下,而且手动刷洗或擦洗均匀性差。鉴于以上缺陷,实有必要设计一种硅片单面处理装置。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于:提供一种硅片单面处理装置,来解决手动刷洗或擦洗均匀性差及生产效率低的问题。为解决上述技术问题,本专利技术的技术方案是:一种硅片单面处理装置,包括底座、伺服电机、丝杠、进给螺母、滑座、下模板、上模座、过渡条、滑动吸取机构、进气通道、进气管、托架、直线模组、立板、调速电机、弹性机构、磨头,所述的伺服电机位于底座上端左侧,所述的伺服电机与底座通过螺栓相连,所述的丝杠位于伺服电机右侧且位于底座上端,所述的丝杠与伺服电机键相连且与底座转动相连,所述的丝杠贯穿进给螺母,所述的进给螺母与丝杠螺纹相连,所述的滑座位于进给螺母外侧且位于底座上端,所述的滑座与进给螺母通过螺栓相本文档来自技高网...
一种硅片单面处理装置

【技术保护点】
1.一种硅片单面处理装置,其特征在于包括底座、伺服电机、丝杠、进给螺母、滑座、下模板、上模座、过渡条、滑动吸取机构、进气通道、进气管、托架、直线模组、立板、调速电机、弹性机构、磨头,所述的伺服电机位于底座上端左侧,所述的伺服电机与底座通过螺栓相连,所述的丝杠位于伺服电机右侧且位于底座上端,所述的丝杠与伺服电机键相连且与底座转动相连,所述的丝杠贯穿进给螺母,所述的进给螺母与丝杠螺纹相连,所述的滑座位于进给螺母外侧且位于底座上端,所述的滑座与进给螺母通过螺栓相连且与底座滑动相连,所述的下模板位于滑座上端,所述的下模板与滑座通过螺栓相连,所述的上模座位于下模板上端,所述的上模座与下模板通过螺栓相连,...

【技术特征摘要】
1.一种硅片单面处理装置,其特征在于包括底座、伺服电机、丝杠、进给螺母、滑座、下模板、上模座、过渡条、滑动吸取机构、进气通道、进气管、托架、直线模组、立板、调速电机、弹性机构、磨头,所述的伺服电机位于底座上端左侧,所述的伺服电机与底座通过螺栓相连,所述的丝杠位于伺服电机右侧且位于底座上端,所述的丝杠与伺服电机键相连且与底座转动相连,所述的丝杠贯穿进给螺母,所述的进给螺母与丝杠螺纹相连,所述的滑座位于进给螺母外侧且位于底座上端,所述的滑座与进给螺母通过螺栓相连且与底座滑动相连,所述的下模板位于滑座上端,所述的下模板与滑座通过螺栓相连,所述的上模座位于下模板上端,所述的上模座与下模板通过螺栓相连,所述的过渡条位于上模座右侧,所述的过渡条与上模座通过螺栓相连,所述的滑动吸取机构贯穿上模座且贯穿下模板,所述的滑动吸取机构可以沿上模座上下滑动,所述的上模座还设有进气通道,所述的进气通道不贯穿上模座主体,所述的进气管位于上模座外侧,所述的进气管与上模座螺纹相连,所述进气管的腔体和进气通道的腔体互通,所述的托架位于底座上端,所述的托架与底座通过螺栓相连,所述的直线模组位于托架上端,所述的直线模组与托架通过螺栓相连,所述的立板位于直线模组下端,所述的立板与直线模组通过螺栓相连,所述的调速电机位于立板下端,所述的调速电机与立板通过螺栓相连,所述的弹性机构位于调速电机下端,所述的弹性机构与调速电机键相连,所述的磨头位于弹性机构下端,所述的磨头与弹性机构螺纹相连。2.如权利要求1所述的硅片单面处理装置,其特征在于所述的下...

【专利技术属性】
技术研发人员:李世磊阳军吴会旭李钊
申请(专利权)人:苏州聚晶科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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