半导体器件制造技术

本公开涉及一种半导体器件。具体地，本公开涉及在无胶带引线框上且覆盖在封料中的半导体裸片。该半导体封装体包括从该引线框中形成的且电耦合到该半导体裸片的引线，可以通过嵌入封料中的电触点接入这些引线。通过从该引线框的相反侧蚀刻凹陷来形成这些引线与该引线框之间的开口。所得到的开口具有不均匀的侧壁。该引线框还电耦合或热耦合到嵌入该封料中的电触点。这些嵌入的电触点形成平面栅格阵列。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本公开涉及一种半导体器件，并且更具体地涉及一种抗挠曲的包封的半导体裸片和引线框封装体。
技术介绍
半导体封装体经常包括半导体裸片和引线框，该引线框提供在触点与该半导体裸片之间的接口。该半导体封装体可以包括封料，以将该封装体的多个元件固定到单个离散单元中。该半导体裸片通常放置在引线框上，并且在涂敷腔中用封料覆盖该组合。通常是在高压或高温下涂敷封料，然后将其冷却并固化在封装体元件周围。遗憾的是，随着裸片和引线框大小不断缩小，封装体变得更易产生翘曲、褶皱和断裂。封装体的易碎性大大地增加了制造工艺过程中封装体的处理难度，并且大大地降低了每个制造批次中可用封装体的总百分比。
技术实现思路
本公开的目的是提供一种半导体器件，以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。根据本公开的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：引线框封装体，所述引线框封装体包括：半导体裸片；引线框，所述引线框具有第一侧以及与所述第一侧相反的第二侧，所述引线框在所述第一侧具有多个凹陷，所述半导体裸片耦合到所述引线框的所述第二侧；多个电触点，所述多个电触点位于所述多个凹陷中的第一组凹陷中，所述多个电触点具有延伸到所述多个凹陷的对应凹陷中的第一部分以及从所述多个凹陷的所述对应凹陷延伸出去的第二部分；以及封料，所述封料位于所述引线框的所述第一侧上和所述引线框的所述第二侧上，所述封料围绕所述电触点的所述第二部分的对应侧。在一个实施例中，所述多个电触点各自具有与所述封料的第一侧表面共面的表面。在一个实施例中，所述封料具有与所述第一侧相反的第二侧，所述封料的所述第一侧和所述第二侧位于与所述引线框的所述第一侧平行的平面中。在一个实施例中，所述封料的所述第二侧与所述引线框的所述第二侧之间的所述封料的厚度不大于所述封料的所述第一侧与所述引线框的所述第一侧之间的所述封料的厚度的五倍。在一个实施例中，所述多个凹陷中的第二组凹陷的横截面面积从所述引线框的所述第一侧表面进入所述引线框逐渐减小。在一个实施例中，所述多个凹陷中的所述第二组凹陷中的每一个凹陷是半球形凹口。在一个实施例中，所述电触点是焊球。在一个实施例中，所述引线框具有多个开口，所述多个开口中的每一个包括所述引线框的所述第二侧中的所述多个凹陷中的对应凹陷，以及所述引线框的所述第一侧中的所述多个凹陷中的第二组凹陷中的对应凹陷，所述封料位于所述引线框的所述多个开口中。在一个实施例中，所述引线框封装体还包括在第一端处耦合到所述裸片且在第二端处耦合到所述引线框的引线的键合接线，所述引线通过所述多个开口之一与所述引线框分隔开。根据本公开的另一方面，提供了一种半导体器件，包括：引线框，所述引线框具有第一侧以及与所述第一侧相反的第二侧，所述引线框包括：从所述第一侧延伸到所述第二侧的多个开口，所述多个开口中的每一个包括从所述第一侧起的第一曲面凹口以及从所述第二侧起的第二曲面凹口；以及通过所述多个开口与所述引线框的中央部分分隔开的多根引线。在一个实施例中，在所述第一曲面凹口与所述第二曲面凹口的相交处形成一个点。在一个实施例中，所述器件还包括：位于所述引线框的所述第一侧的多个凹口；以及位于所述多个凹口中的多个触点。在一个实施例中，所述器件还包括：围绕所述引线框和所述多个触点的树脂模塑品，所述多个触点的第一个表面穿过所述树脂模塑品被暴露。本公开涉及一种半导体封装体，该半导体封装体包括薄引线框，该薄引线框具有蚀刻到该引线框的相反侧中的凹陷。该引线框的第一侧上的第一凹陷子集包含电触点，该第一侧上的第二凹陷子集与该引线框的第二侧上的第三凹陷子集组合形成该引线框中的开口。这些开口将该引线框与从该引线框中形成的引线隔开。这些开口的侧壁之间的距离从引线框的第一侧到第二侧有所不同，作为通过蚀刻凹陷形成开口的产物。将半导体裸片附着于引线框的第二侧，并且使用连接器将裸片电连接到从该引线框中形成的引线上。利用封料包封这些封装体元件，然后部分地去除封料，以穿过封料露出电触点。根据本公开的实施例的器件能够将不同冷却速率和引线框易碎性的影响降到最小。附图说明图1是具有蚀刻在第一侧中的凹陷的引线框的截面图。图2是图1的引线框的凹陷中的电触点的截面图，其中，这些电触点被封料覆盖。图3是图2中翻转后使其凹陷蚀刻在引线框的第二侧中的引线框的截面图。图4是附着于图3的引线框的裸片的截面图。图5是图4的引线框和裸片的俯视平面图，其中，图4是沿着图5的截面线AA截取的。图6是图4中使封料在引线框的第二侧上的裸片和引线框的截面图。图7是图6中被包封的引线框封装体在去除引线框的第一侧上的部分封料以露出电触点之后的截面图。图8是引线未延伸到封料边缘的引线框封装体的备选实施例的截面图。图9是堆叠中两个半导体裸片附着于引线框的引线框封装体的备选实施例的截面图。具体实施方式在以下描述中，阐明了某些具体细节以便提供对本公开的各个实施例的透彻了解。然而，本领域技术人员将理解的是，可以在没有这些特定细节的情况下实践本公开。在其他实例中，与电子部件和制造技术相关联的公知结构尚未被详细描述从而避免不必要地使本公开的实施例的描述变得模糊。除非上下文另有要求，否则贯穿说明书和所附权利要求书，“包括(comprise)”一词及其多种变体(如，“包括(comprises)”和“包括(comprising)”)将以一种开放式的和包含性的意义来进行解释，也就是作为“包括，但不限于(including,butnotlimitedto)”。贯穿本说明书对“一个实施例”或“实施例”的引用意味着结合该实施例所描述的具体特征、结构、或特性包括在至少一个实施例中。因而，贯穿本说明书，短语“在一个实施例中”或“在实施例中”在不同场合中的出现并不一定都是指相同的实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何适当的方式来组合特定特征、结构或特性。如在本说明书和所附的权利要求书中所使用的，单数形式的“一种”、“一个”以及“该”包括复数对象，除非内容另外明确指明。还应注意，术语“或者”总体上所使用的意义包括“和/或”，除非内容另外明确指明。如在说明书和所附的权利要求书中所使用的，“对应(correspond)”、“对应(corresponds)”和“对应(corresponding)”的使用意在描述参考对象之间的比率或相似性。“对应(correspond)”或其形式之一的使用不应被解释为意指确切的形状或大小。贯穿本说明书，以最广泛的意义使用术语“层”以包括薄膜、罩盖等，并且一个层可以由多个子层组成。本文描述了引线框封装体的具体实施例；然而，本公开以及对某些材料、尺寸的引用、以及处理步骤的细节和顺序是示例性的并且不应局限于所示出的那些。本公开总体上涉及引线框裸片封装体，如图7至图9中在引线框的两侧都包含封料的封装体。这些封装体包括附着于被蚀刻的引线框的一个或多个裸片，所述引线框在两个相反侧上被蚀刻以形成凹陷和开口。这些凹陷填充有电触点，并且这些开口将引线框与引线框裸片封装体中的引线分隔开。这些电触点形成在凹陷中并且具有与封料表面共面的表面。这些凹陷可以展现类似于球体一部分的形状，其中，这些电触点展现类似于半径相似的球体的不同部分的形状。该封装体包括封料，该封料中具有用于电触点或该封装体的其他元件的开口。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：引线框封装体，所述引线框封装体包括：半导体裸片；引线框，所述引线框具有第一侧以及与所述第一侧相反的第二侧，所述引线框在所述第一侧具有多个凹陷，所述半导体裸片耦合到所述引线框的所述第二侧；多个电触点，所述多个电触点位于所述多个凹陷中的第一组凹陷中，所述多个电触点具有延伸到所述多个凹陷的对应凹陷中的第一部分以及从所述多个凹陷的所述对应凹陷延伸出去的第二部分；以及封料，所述封料位于所述引线框的所述第一侧上和所述引线框的所述第二侧上，所述封料围绕所述电触点的所述第二部分的对应侧。

【技术特征摘要】
2016.09.30 US 15/281,8001.一种半导体器件，其特征在于，包括：引线框封装体，所述引线框封装体包括：半导体裸片；引线框，所述引线框具有第一侧以及与所述第一侧相反的第二侧，所述引线框在所述第一侧具有多个凹陷，所述半导体裸片耦合到所述引线框的所述第二侧；多个电触点，所述多个电触点位于所述多个凹陷中的第一组凹陷中，所述多个电触点具有延伸到所述多个凹陷的对应凹陷中的第一部分以及从所述多个凹陷的所述对应凹陷延伸出去的第二部分；以及封料，所述封料位于所述引线框的所述第一侧上和所述引线框的所述第二侧上，所述封料围绕所述电触点的所述第二部分的对应侧。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个电触点各自具有与所述封料的第一侧表面共面的表面。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述封料具有与所述第一侧相反的第二侧，所述封料的所述第一侧和所述第二侧位于与所述引线框的所述第一侧平行的平面中。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述封料的所述第二侧与所述引线框的所述第二侧之间的所述封料的厚度不大于所述封料的所述第一侧与所述引线框的所述第一侧之间的所述封料的厚度的五倍。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个凹陷中的第二组凹陷的横截面面积从所述引线框的所述第一侧表面进入所述引线框逐渐减小。6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·塔利多，
申请(专利权)人：意法半导体公司，
类型：新型
国别省市：菲律宾,PH