The utility model discloses a high flux magnetron sputtering system for preparation of composite materials. The device includes a vacuum chamber and a plurality of magnetron sputtering cathodes and substrates set in a vacuum chamber. The substrate is set at the top of the vacuum chamber. A plurality of magnetron sputtering cathodes are set at the base sheet at the substrate, and the different magnetron sputtering cathodes are set on the cathode. Different types of targets include the driving mechanism of the rotating baffle and the rotating baffle; a plurality of magnetron sputtering cathodes are arranged around the rotating shaft of the rotating baffle, a hole on the rotating baffle is arranged on the rotating baffle, and when the rotating baffle rotates around the shaft for a week, the through hole on the rotating baffle makes the magnetron sputtering negative among the most one of the atoms ejected by the magnetron sputtering. The rotating baffle is blocked. Through the utility model, the gradient of magnetron sputtering can be used to achieve hundreds of thousands of different materials in batch. And the interference between different targets can be avoided, and the velocity of the deposition of the target is controlled, and the atom level mixing can be achieved after the atoms on different targets are sputtered to the substrate.
【技术实现步骤摘要】
一种用于制备组合材料的高通量磁控溅射系统
本技术涉及材料合成领域,尤其涉及一种用于制备组合材料的高通量磁控溅射系统。
技术介绍
材料高通量实验要求在短时间内完成大量样品的制备与表征,其核心的思想是将传统材料研究中采用的顺序迭代方法改为并行处理,以量变引起材料研究效率的质变。作为“材料基因组技术”三大要素之一,高通量实验扮演着承上启下的关键角色。高通量组合材料芯片技术是在一块较小的基片上同时集成生长成千上万乃至上百万种不同组分、结构和性能的材料,并通过自动扫描式或并行式快速表征技术获得材料成分、结构和性能等关键信息,快速构建多元材料相图或材料数据库,从中快速筛选出性能优良的材料或快速找到材料的“组分-结构-性能”关联性,以此提高材料研发的效率。高通量组合材料芯片的制备过程通常分为“组合”和“成相”两个步骤,其中“组合”是将不同组成的材料按照一定顺序和组合比例规律进行顺序堆叠,然后通过分别采取低温和高温热处理的方式使材料发生均匀混合和成相的过程。传统的高通量方法通常为{AAABBBCCCDDD}式组合,会形成层状堆叠或者混合不均匀等缺点;本技术利用梯度分布{ABCDA ...
【技术保护点】
1.一种用于制备组合材料的高通量磁控溅射系统,包括真空室,以及设置于所述真空室中的多个磁控溅射阴极和基片,所述基片设置于所述真空室顶部,所述多个磁控溅射阴极正对所述基片设置,不同的磁控溅射阴极上设置不同类型的靶材,其特征在于,还包括旋转挡板及旋转挡板的驱动机构;所述多个磁控溅射阴极围绕所述旋转挡板的旋转轴设置,所述旋转挡板上设置一通孔,所述驱动机构驱动所述旋转挡板旋转时,控制所述通孔在正对所述磁控溅射阴极最多其中一者时停留指定时间。
【技术特征摘要】
1.一种用于制备组合材料的高通量磁控溅射系统,包括真空室,以及设置于所述真空室中的多个磁控溅射阴极和基片,所述基片设置于所述真空室顶部,所述多个磁控溅射阴极正对所述基片设置,不同的磁控溅射阴极上设置不同类型的靶材,其特征在于,还包括旋转挡板及旋转挡板的驱动机构;所述多个磁控溅射阴极围绕所述旋转挡板的旋转轴设置,所述旋转挡板上设置一通孔,所述驱动机构驱动所述旋转挡板旋转时,控制所述通孔在正对所述磁控溅射阴极最多其中一者时停留指定时间。2.根据权利要求1所述的一种用于制备组合材料的高通量磁控溅射系统,其特征在于,多个所述磁控溅射阴极围绕所述旋转挡板的旋转轴成圆形。3.根据权利要求1所述的一种用于制备组合材料的高通量磁控溅射系统,其特征在于,所述旋转挡板绕轴旋转时,所述通孔因旋转形成的圆形的直径小于等于所述多个磁控溅射阴极依序连线形成的圆形的直径。4.根据权利要求1所述的一种用于制备组合材料的高通量磁控溅射系统,其特征在于,所述旋转挡板面向所述磁控溅射阴极的一侧设置第二挡板,所述第二挡板垂直所述旋转挡板设置,所述第二挡板至少将所述通孔所在区域与所述旋转挡板的其他位置隔离。5.根据权利要求1所述的一种用于制备组合材料的高通量磁控溅射系统,其特征在于,还包括第三挡板,防止通孔旋转到第二挡...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡凯,张晓军,
申请(专利权)人:深圳市矩阵多元科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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