一种具备氧化锌薄膜的钨镍合金材料的制备方法技术

技术编号:18364477 阅读:47 留言:0更新日期:2018-07-05 02:16
一种具备氧化锌薄膜的钨镍合金材料的制备方法。本发明专利技术公开了一种耐磨耐蚀涂层钨镍合金的制备方法,解决了传统细晶硬质合金制备过程中常出现“镍池”和孔洞的问题,方法制备重复性好,而且操作简便,该种方法制备的材料由于是定向腐蚀得到的,因此具有更好的电学和光学性能。

Preparation method of tungsten nickel alloy material with Zinc Oxide film

A preparation method of tungsten nickel alloy material with Zinc Oxide film. The invention discloses a preparation method of the wear-resistant and anticorrosive coating tungsten nickel alloy. It solves the problem of \nickel pool\ and hole in the traditional fine crystal hard alloy preparation process. The method has good reproducibility and easy operation. The material prepared by this method is obtained because of directional corrosion, so it has better electricity. And optical properties.

【技术实现步骤摘要】
一种具备氧化锌薄膜的钨镍合金材料的制备方法
本专利技术涉及半导体材料制造领域,具体涉及一种具备氧化锌薄膜的钨镍合金材料的制备方法。
技术介绍
目前,ZnO基材料已经广泛应用于催化、气敏、紫外探测器、发光二极管、场效应管、薄膜晶体管、触摸屏、太阳能电池等领域。ZnO基材料的掺杂能够大大提升其应用。WC-Ni硬质合金具有高强度、高硬度、优良的耐磨性、耐热性以及良好的抗腐蚀性等特点,因此广泛应用于高压、高转速、高温、腐蚀性介质等工作环境。由于Ni属于面心立方(F.c.c)晶系,塑性很好,在湿磨过程中容易发生塑性变形,形成片状的Ni粉团。工业生产以Ni作为粘结剂的硬质合金的球磨时间要长,即便是这样,也不能保证Ni粉的均匀细化,这是基于Ni粉存在着与Co粉截然不同的细化机理。ZnO基纳米材料的制备方法一般偏向于化学合成,包括水浴、化学气相沉积(CVD)、模板法、诱导法等。这些方法维持的周期一般而言都比较长,或者很难有效控制ZnO基纳米材料的形貌。例如传统的CVD法制备ZnO基纳米材料重复性比较差,而且很难掺杂进其它原子来提高ZnO纳米材料的自身性能。
技术实现思路
本专利技术提供一种具备氧化锌薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具备氧化锌薄膜的钨镍合金材料的制备方法,该方法包括如下步骤:(1)制备基体按以下重量组份配制混合粉碳化钨,90.1%‑92.8%,费氏粒度0.8‑1μm;镍粉,5%‑6%,费氏粒度0.5‑1.0μm;碳化铬,余量;将上述配比的混合粉进行湿磨;其中球磨时间分段控制;先将碳化物粉及添加剂碳化铬加入球磨筒湿磨12‑16小时,再加入镍粉湿磨14‑18小时;将球磨完毕的混合料料浆干燥;将干燥混合料压制成所需形状的压制品;将压制品放在烧结炉内高温烧结,烧结温度为1450‑1470℃,保温时间70‑90min,烧结压力为4.5‑5.0Mpa,获得钨镍合金基体;(2)基体预处理所述基体预处理,可依次进...

【技术特征摘要】
1.一种具备氧化锌薄膜的钨镍合金材料的制备方法,该方法包括如下步骤:(1)制备基体按以下重量组份配制混合粉碳化钨,90.1%-92.8%,费氏粒度0.8-1μm;镍粉,5%-6%,费氏粒度0.5-1.0μm;碳化铬,余量;将上述配比的混合粉进行湿磨;其中球磨时间分段控制;先将碳化物粉及添加剂碳化铬加入球磨筒湿磨12-16小时,再加入镍粉湿磨14-18小时;将球磨完毕的混合料料浆干燥;将干燥混合料压制成所需形状的压制品;将压制品放在烧结炉内高温烧结,烧结温度为1450-1470℃,保温时间70-90min,烧结压力为4.5-5.0Mpa,获得钨镍合金基体;(2)基体预处理所述基体预处理,可依次进行研磨抛光、超声清洗和离子源清洗;(3)将纯ZnO粉末和纯Cr氧化物粉末按化学式Zn1-xCrxO计量比混合、研磨、1200-1450℃烧结,制成ZnO基陶瓷靶材,0.05≦x<0.15;(4)采用磁控溅射方法,以ZnO基陶瓷靶材作为靶材,在经预处理的基体上沉积一层ZnO基薄膜,沉积条件为:基体和靶材的距离为80mm,生长室真空度在2×10-3P...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:青岛祥智电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:山东,37

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