The invention provides a magnetron sputtering target cover, which belongs to the technical field of substrate glass processing. The magnetron sputtering target cover, including the cover surface and the side side, is set at the outer edge of the cover surface, and a closed figure is assembled on the boundary line between the side and the cover surface. A sputtering window is arranged on the cover surface, and at least one metal wire is included. The metal wire is fixed at the side side, and the projection part of the wire on the cover surface is located in the sputtering window. The magnetron sputtering target shield can effectively enhance the deposition effect of target material on the substrate surface.
【技术实现步骤摘要】
磁控溅射靶罩
本专利技术属于基板玻璃加工
,尤其涉及一种磁控溅射靶罩。
技术介绍
图1为磁控溅射镀膜工艺示意图,请参图1,磁控溅射是通过在靶11阴极表面引入磁场和电场,利用磁场和电场对带电粒子的约束来提高等离子密度来增加溅射率。电子在电场的作用下,在飞向固定于镀膜小车13上的基片15的过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生Ar+和新的电子:新电子飞向基片15,Ar+在电场作用下加速飞向阴极靶11,并以高能量轰击靶11表面,使靶材发生溅射。在溅射过程中,一部分带电粒子与器壁发生碰撞,发生复合,这部分与器壁发生复合的粒子,对磁控室腔体的污染严重。现有技术通过设置一个靶罩12,来屏蔽掉这部分溅射粒子。在溅射过程中,还有一部分电子和负离子飞向阳极17并沉积于基片15表面,这部分电子和负离子会对靶材在基片15表面沉积成膜的效果产生一定影响,其中能量较低的电子和负离子会使靶材沉积成膜的效果变差。图2为现有技术提供的靶罩12的结构示意图,请参图2,靶罩12包括罩面12a和多个侧面12b,罩面12a上设置有溅射窗口12c,溅射窗口12c是Ar+、电子、负离子以及溅射出的靶材运动的通道。能量较低的电子可以直接从溅射窗口12c飞出沉积在基片15表面,从而使靶材在基片15表面沉积成膜的效果变差。
技术实现思路
针对现有技术的问题,本专利技术提供一种磁控溅射靶罩,可有效提升靶材在基片表面沉积成膜的效果。为达到上述目的,本专利技术采用如下的技术方案:一种磁控溅射靶罩,包括罩面和侧边,侧边设置于罩面外边缘,侧边与罩面的交界线围合成一个封闭的图形,罩面上设置有溅射窗口,还包括至少一金属 ...
【技术保护点】
1.一种磁控溅射靶罩,包括罩面和侧边,所述罩面至少包括一第一表面,所述第一表面的中央区域形成有溅射窗口,所述侧边设置于所述罩面外边缘,所述侧边与所述罩面的交界线围合成一个封闭的图形,其特征在于,所述磁控溅射靶罩还包括至少一金属丝,所述金属丝两端固定于所述侧边,所述金属丝在所述第一表面上的投影部分位于所述溅射窗口。
【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射靶罩,包括罩面和侧边,所述罩面至少包括一第一表面,所述第一表面的中央区域形成有溅射窗口,所述侧边设置于所述罩面外边缘,所述侧边与所述罩面的交界线围合成一个封闭的图形,其特征在于,所述磁控溅射靶罩还包括至少一金属丝,所述金属丝两端固定于所述侧边,所述金属丝在所述第一表面上的投影部分位于所述溅射窗口。2.如权利要求1所述的磁控溅射靶罩,其特征在于,所述金属丝为钼丝。3.如权利要求1所述的磁控溅射靶罩,其特征在于,所述金属丝的数量为3。4.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:申屠江民,祝宇,张平,乐卫文,
申请(专利权)人:浙江金徕镀膜有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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