同轴磁控溅射靶制造技术

技术编号:1812110 阅读:176 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术提供一种可应用于大面积基板上镀装饰性铬膜和碳化钨、超硬膜以及多元素材料混合膜的磁控溅射靶。它是由非磁性金属基体(1)、磁体(2)、隔离片(3)、冷却水管(4)组成。靶基体外层采用高硬度、高熔点金属制做的靶环(5),环状套装结构,可通过移动磁环位置来改变靶材的溅射部位,同时也便于更换有缺陷靶环,靶材利用率可提高至70%以上,为无污染镀膜提供了一种适用于工业化生产的靶材。本实用新型专利技术具有刻蚀均匀度好,刻蚀面积大,沉积速度高,薄膜均匀度好,结构简单、易制做特点。(*该技术在2003年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种能在金属材料及非金属材料制品上镀制超硬、防腐、装饰膜的同轴磁控溅射靶。同轴磁控溅射装置,是把磁控溅射和离子镀有机结合的一种装置,它使膜层材料转化为分子(原子)的过程和条件,处于一个连续的矩形面积的状态下进行,所以膜层材料(靶)和基板(工件)之间膜材的分子(原子)分布,具有较好均布性。现有的同轴磁控溅射装置,应用的是铜(仿金)和铝,以及少数氮化钛,可镀膜层材料数量少,靶材利用率不高,膜层与基板的结合力差,性能不太理想。本技术的目的成功地解决了熔点超过1200℃及硬度超过HRC60的纯金属、合金、化合物材料组合而成的同轴磁控溅射靶在玻璃、陶瓷、塑料、纺织品等非金属基材和各种金属基材上镀制出相应的纯铬膜,铬合金膜、纯钨膜和碳化钨膜的问题。本技术可在2-2.4/10真空镀膜室中,以氩气为介质,控制靶电压DC0-660V,靶电流DC0-40A条件下镀制一超硬、防腐、装饰膜层,这些膜层具有高硬度,高抗腐蚀性,耐高温、附着力强等特性。由于靶材采用环状套装结构,便于更换有缺陷靶环,并通过移动磁环装置来改变靶材的溅射部位,因而靶材利用率可提高至70%以上(剩余部份可回收重新加工成新环再用),为无污染镀膜提供了一种适用于工业化生产的靶材。本技术由基体(1)、磁体(2)、隔离片(3)、冷却水管(4)构成,其特征在于基体(1)采用非磁性金属材料制做,其基体内装有磁体(2),冷却水管(4)、隔离片(3),基体外面套装有靶环(5)。从而构成一种同轴磁控溅射靶。这种结构增加了磁场分量,减少磁通外漏,具有靶的刻蚀均匀度好,刻蚀面积大、淀积速度高的特点。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是说明书摘要附图。现结合附图对本技术作详细描述。本技术采用一些非磁性金属如铝、铜、钛不锈钢材料制成基体(1),基体内装有磁性材料如铁氧体、电磁体制成的永磁环(2)和冷却水管(4),永磁环(2)之间装有无碳电工铁,硅钢片制成的隔离片(3);基体外面套装有高硬度、高熔点金属或金属合金为材料,采用粉末冶金方法制做成的靶环(5),套装靶环的数量可视需要在2——100个。采用粉末冶金方法制做靶时,可根据需要配制不同成份或不同配比材料粉末制出相应的靶环。本技术以碳化钨、铬、铬合金、钨以及多元素材料分别制出了相应的碳化钨靶,纯铬靶、铬合金靶,纯钨靶以及多元素材料混合膜靶。使用时将靶的两端套在塑料绝缘环和屏蔽环上,装到镀膜机上即可使用。靶在工作过程中通过进水口(6)进水、排水口(7)排水进行水循环,达到冷却。权利要求1.一种同轴磁控溅射靶,由基体(1)、磁体(2)、隔离片(3)、冷却水管(4)构成,其特征在于基体(1)采用非磁性金属材料制做,其基体内装有磁体(2),冷却水管(4)、隔离片(3),基体外面套装有靶环(5)。2.按权利要求1所述的同轴磁控溅射靶,其特征在于磁体(2)采用铁氧体、电磁体制做成永磁环。3.按权利要求1或2所述的同轴磁控溅射靶,其特征在于套装在基体(1)上的靶环(5)数量视需要在2-100个。专利摘要本技术提供一种可应用于大面积基板上镀装饰性铬膜和碳化钨、超硬膜以及多元素材料混合膜的磁控溅射靶。它是由非磁性金属基体(1)、磁体(2)、隔离片(3)、冷却水管(4)组成。靶基体外层采用高硬度、高熔点金属制做的靶环(5),环状套装结构,可通过移动磁环位置来改变靶材的溅射部位,同时也便于更换有缺陷靶环,靶材利用率可提高至70%以上,为无污染镀膜提供了一种适用于工业化生产的靶材。本技术具有刻蚀均匀度好,刻蚀面积大,沉积速度高,薄膜均匀度好,结构简单、易制做特点。文档编号C23C14/34GK2159398SQ93214070公开日1994年3月23日 申请日期1993年4月13日 优先权日1993年4月13日专利技术者倪振中 申请人:昆明航天科发镀膜公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同轴磁控溅射靶,由基体(1)、磁体(2)、隔离片(3)、冷却水管(4)构成,其特征在于:基体(1)采用非磁性金属材料制做,其基体内装有磁体(2),冷却水管(4)、隔离片(3),基体外面套装有靶环(5)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:倪振中
申请(专利权)人:昆明航天科发镀膜公司
类型:实用新型
国别省市:33[中国|浙江]

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