一种多晶掺镓太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多晶掺镓太阳电池及其制备方法，包括：掺杂有镓的多晶掺镓硅基底，以及在其受光面上的发射极，置于发射极表面的正面减反射膜/钝化膜，置于正面减反射膜/钝化膜表面的导电材料组成的正面电极，导电材料高温烧结局部穿透正面减反射膜/钝化膜材料或通过在正面减反射膜/钝化膜上的局部开膜区域和发射极形成直接接触，以及置于基底背面的背面电极，其中背面电极由两部分组成，设置在背表面的铝电极，以及作为光伏组件焊接点的银电极。此太阳电池的制备方法包括，在掺镓的硅基底上进行表面织构化，并在电池的正面制备发射极，在正面制备钝化及减反射膜，以及在电池的正面和背面制备电极，以及金属化热处理过程。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶掺镓太阳电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种多晶掺镓太阳电池及其制备方法。
技术介绍
目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。目前使用的p型太阳电池基底，一般为掺杂有硼元素的硅片。但是采用掺杂有硼元素的多晶硅作为基底的太阳电池一起电池效率在太阳光照下会发生一定的衰减。这种衰减称之为光衰(LID)。目前光伏产业中的掺硼多晶硅片制成的太阳电池的效率衰减1.5～7％，硼元素的掺杂浓度、氧含量、电池结构对衰减程度有一定的影响。这种电池的光致衰减产生的本质原因和掺杂基底中的代替位硼原子和多晶硅中的氧原子在光注入的情况下会形成硼氧复合体。而硼氧复合体是深能级复合中心，这样会降低少数载流子的寿命，从而降低少数载流子的扩散长度，导致太阳电池的效率降低，并且影响电池的长期可靠性。
技术实现思路
针对以上问题，本专利技术提供了一种多晶掺镓太阳电池及其制备方法，可以解决上述问题，降低由于硼氧复合体造成的光致衰减。本专利技术的技术解决方案是：一种多晶掺镓太阳电池，由正面至背面依次包括：正面电极、正面减反射膜/钝化膜、发射极、多晶掺镓硅基底和背面电极；所述的背面电极包括背面铝电极和背面银电极。所述的多晶掺镓硅基底中镓元素的掺杂浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米。所述的多晶掺镓硅基底还掺杂有硼元素，硼元素的掺杂浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米。所述的正面电极包括正面细栅线，正面细栅线通过局部穿透正面减反射膜/钝化膜或通过在正面减反射膜/钝化膜上的局部开膜区域与发射极形成直接接触。所述的铝电极设置在多晶硅基底的背面，背面银电极设置在铝电极上；铝电极和背面银电极均与多晶掺镓硅基底背面接触。所述的铝电极和多晶掺镓硅基底之间包含一层掺杂成分为铝的空穴掺杂层，空穴掺杂层的厚度为1～15um。所述的空穴掺杂层中还掺杂有硼，硼元素掺杂浓度为5×1016～1×1021个原子/立方厘米。所述的空穴掺杂层和铝电极之间还包括一层铝硅合金层，铝硅合金层厚度为1～5um。所述的正面减反射膜/钝化膜为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝和碳化硅薄膜中的一种或多种叠层构成；正面减反射膜/钝化膜的折射率为1.5～2.5，厚度50～100nm。一种所述的多晶掺镓太阳电池的制备方法，包括以下步骤：1)对多晶掺镓硅基底进行表面织构化及清洗；2)在多晶掺镓硅基底正面进行制备发射极；3)对多晶掺镓硅基底进行边缘绝缘处理；4)对多晶掺镓硅基底的发射极进行正面减反射膜/钝化膜制备；5)在对多晶掺镓硅基底正面、背面进行导电浆料图形化涂布；6)进行金属化热处理过程分别制备正面电极和背面电极。相对于现有技术，本专利技术具有以下技术效果：本专利技术包括掺杂有镓的多晶掺镓硅基底，以及在其受光面上的发射极，置于发射极表面的正面减反射膜/钝化膜，置于正面减反射膜/钝化膜表面的导电材料组成的正面电极，导电材料高温烧结局部穿透正面减反射膜/钝化膜材料或通过在正面减反射膜/钝化膜上的局部开膜区域和半导体形成直接接触，以及置于基底背面的背面电极，采用多晶掺镓硅作为太阳电池的基底材料，制备了多晶掺镓太阳电池，掺镓能够减少掺杂基底中的代替位硼原子和多晶硅中间隙态的氧原子在光注入的情况下会形成硼氧复合体，这样会增加少数载流子的寿命，从而增加少数载流子的扩散长度，导致太阳电池的效率增加，并且保证电池的长期可靠性。该电池结构可以降低或基本抑制多晶硅太阳电池的光衰，能将多晶硅太阳电池的光衰控制在1％以内。进一步，在硅基底中也可以有一定量的硼元素，在此情况下也会对光衰有一定抑制效果，但抑制效果会略差于仅掺镓的硅片。进一步形成的所述的铝电极和单晶硅基底之间的一层掺杂成分为铝的硅基空穴掺杂层。这一层铝的硅基空穴掺杂层和硅基底形成p+/p的势差，从而提高了整个电池的开路电压，也降低了靠近电极附近的复合速率，从而提高了转换效率。所述的空穴掺杂层中还可进一步掺杂有硼，硼元素掺杂浓度为5×1016～1×1021个原子/立方厘米。硼的掺杂浓度一般高于铝掺杂空穴浓度，因此，p+/p的势差加大，进一步提高了开路电压。所述的空穴掺杂层和铝电极之间还可包括一层铝硅合金层，铝硅合金层厚度为1～5um。此铝硅合金层的存在，可以使得铝质的导电电极和p型的半导体基底形成更好的接触性能。本专利技术多晶掺镓太阳电池的制备方法包括：在掺镓的硅基底上进行表面织构化，并在电池的正面制备发射极，在正面制备钝化及减反射膜，以及在电池的正面和反面制备电极，以及金属化热处理过程，整体工艺简单，适合工业化生产。附图说明图1是本专利技术的太阳电池的实施方式中的一个实例的电池示意图。图2是本专利技术的太阳电池的实施方式中的一个实例的正面电极示意图。图3是本专利技术的太阳电池的实施方式中的一个实例的背面电极示意图。其中标注：1为硅基底，2为发射极，3为正面减反射膜/钝化膜，4为背面铝电极，5为背面银电极，6为正面细栅线，7为正面连接电极。具体实施方式下面举例具体实施例对本专利技术进行说明。需要指出的是，以下实施例只用于对本专利技术做进一步说明，不代表本专利技术的保护范围，其他人根据本专利技术的提示做出的非本质的修改和调整，仍属于本专利技术的保护范围。如图1所示，本专利技术一种多晶掺镓太阳电池，包括：多晶掺镓硅基底1，以及在其上的发射极2和背面铝电极，置于发射极2表面的正面减反射膜/钝化膜3，置于正面减反射膜/钝化膜3表面的由导电材料组成的正面电极，置于多晶掺镓硅基底1背面的背面电极；正面导电材料通过高温烧结局部穿透正面减反射膜/钝化膜3材料或通过在正面减反射膜/钝化膜3上的局部开膜区域和发射极2形成直接接触，形成正面电极；所述背面电极两部分组成，包括涂布在背表面的背面铝电极4，以及作为光伏组件焊接点的背面银电极5。两部分电极均和电池的多晶掺镓硅基底1背面直接接触。掺杂有镓的多晶掺镓硅基底1中镓元素掺杂的浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米。优选地，多晶掺镓硅基底1还可以掺杂有硼，其中硼元素掺杂的浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米。半导体表面的正面减反射膜/钝化膜，由一层或一层以上膜叠加组成；正面减反射膜/钝化膜由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅中的一种组成，或由其中的多种组成；正面减反射膜/钝化膜的整体折射率1.5～2.5，正面减反射膜/钝化膜的总厚度50～100nm。发射极2在电池的受光面。太阳电池的正面电极，优选银电极。如图2所示，正面电极包括用于引导电流的正面细栅线6和用于收集电流的正面连接电极7，正面细栅线6与正面连接电极7垂直布置。如图3所示，背面电极中的背面银电极5呈局部块状分布在背面的区域，和多晶掺镓硅基底1形成直接接触，多晶掺镓硅基底1的其余背面表面除边缘部分和银电极周围部分区域以外，剩余表面均由背面铝电极4覆盖；背面铝电极4和多晶掺镓硅基底1形成铝电极的背面接触。铝电极的背面接触由以下部分组成：主要导电成分为背面铝电极4，多晶掺镓硅基底1，以及置于背面铝电极4和多晶掺镓硅基底1之间的一层主要掺杂成分为铝的硅基空穴掺杂层，该空穴掺杂层可进一步掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶掺镓太阳电池，其特征在于，由正面至背面依次包括：正面电极、正面减反射膜/钝化膜(3)、发射极(2)、多晶掺镓硅基底(1)和背面电极；所述的背面电极包括背面铝电极(4)和背面银电极(5)。

【技术特征摘要】
1.一种多晶掺镓太阳电池，其特征在于，由正面至背面依次包括：正面电极、正面减反射膜/钝化膜(3)、发射极(2)、多晶掺镓硅基底(1)和背面电极；所述的背面电极包括背面铝电极(4)和背面银电极(5)。2.根据权利要求1所述的一种多晶掺镓太阳电池，其特征在于，所述的多晶掺镓硅基底(1)中镓元素的掺杂浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米。3.根据权利要求1所述的一种多晶掺镓太阳电池，其特征在于，所述的多晶掺镓硅基底(1)还掺杂有硼元素，硼元素的掺杂浓度为1×1013～1×1017个原子/立方厘米。4.根据权利要求1所述的一种多晶掺镓太阳电池，其特征在于，所述的正面电极包括正面细栅线(6)，正面细栅线(6)通过局部穿透正面减反射膜/钝化膜(3)或通过在正面减反射膜/钝化膜(3)上的局部开膜区域与发射极(2)形成直接接触。5.根据权利要求1所述的一种多晶掺镓太阳电池，其特征在于，所述的铝电极(4)设置在多晶硅基底(1)的背面，背面银电极(5)设置在铝电极(4)上；铝电极(4)和背面银电极(5)均与多晶掺镓硅基底(1)背面接触。6.根据权利要求5所述的一种多晶掺镓太阳电池，其特征在于，所述的铝电极(4)和多晶掺镓硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，靳玉鹏，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32