太阳能电池单元以及太阳能电池单元的制造方法技术

太阳能电池单元(1)具备：n型的半导体基板(2)，具有pn结；以及背面侧杂质扩散层(11)，形成于半导体基板(2)的受光面或者与受光面对置的背面侧的表层，具有以第1浓度含有n型或者p型的杂质元素的背面侧高浓度杂质扩散层(11a)、以及以比第1浓度低的第2浓度含有与背面侧高浓度杂质扩散层(11a)相同的导电类型的杂质元素的背面侧低浓度杂质扩散层(11b)。另外，太阳能电池单元(1)具备：背面第1电极(13)，在半导体基板(2)的背面形成于多个部位，电连接于背面侧高浓度杂质扩散层(11a)；以及背面第2电极(14)，以与背面侧杂质扩散层(11)分离的状态电连接多个背面第1电极(13)。

Solar cell unit and manufacturing method of solar cell unit

A solar cell unit (1) has: a n type semiconductor substrate (2), a PN junction, and a back side impurity diffusion layer (11), formed on the surface of a semiconductor substrate (2) or on the back side of the light face, with a high concentration impurity diffusion layer (11a) on the back side of a first concentration containing a n or P type impurity element. And a low concentration impurity diffusion layer (11b) on the back side of the impurity element with the same conductive type as the back side high concentration impurity diffusion layer (11a) with a second concentration lower than the first concentration. In addition, the solar cell unit (1) has: the back first electrodes (13), on the back of the semiconductor substrate (2), formed on a plurality of parts, electrically connected to the back side high concentration impurity diffusion layer (11a), and the back second electrode (14), electrically connecting multiple back first electrodes (13) to the state of the back side impurity diffusion layer (11).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池单元以及太阳能电池单元的制造方法
本专利技术涉及具有选择扩散层构造的太阳能电池单元以及太阳能电池单元的制造方法。
技术介绍
以往，作为实现使用了n型硅基板的太阳能电池单元的高光电变换效率化的技术，在专利文献1中，公开了基于两面选择扩散层构造的光电变换效率的提高技术。在专利文献1中，在n型硅基板的表面侧形成高浓度p型扩散区域和低浓度p型扩散区域，在n型硅基板的背面侧形成高浓度n型扩散区域和低浓度n型扩散区域。而且，公开了如下太阳能电池单元：包括栅电极以及汇流条电极的表面电极形成于表面侧的高浓度p型扩散区域上，包括栅电极以及汇流条电极的背面电极形成于背面侧的高浓度n型扩散区域上。在作为太阳能电池基板而使用n型基板的情况下，发射极成为p+扩散层。在此，通过使用银铝(AgAl)膏作为与p+扩散层连接的电极的材料，在p+扩散层中的p型的杂质浓度为5×1019atoms/cm3左右以下的浓度比较低的扩散层中，也能够形成p+扩散层与电极的良好的接触。因此，即使不做成仅在电极下部的区域形成高浓度杂质扩散层的选择扩散层构造，也能够得到20％以上的高的光电变换效率。另一方面，关于太阳能电池基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池单元，其特征在于，具备：n型的半导体基板，具有pn结；杂质扩散层，形成于所述半导体基板的受光面或者与所述受光面对置的背面侧的表层，具有以第1浓度含有n型或者p型的杂质元素的第1杂质扩散层、以及以比所述第1浓度低的第2浓度含有与所述第1杂质扩散层相同的导电类型的杂质元素的第2杂质扩散层；第1电极，在所述半导体基板中的形成有所述杂质扩散层的面形成于多个部位，电连接于所述第1杂质扩散层；以及第2电极，以与所述杂质扩散层分离的状态电连接多个所述第1电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种太阳能电池单元，其特征在于，具备：n型的半导体基板，具有pn结；杂质扩散层，形成于所述半导体基板的受光面或者与所述受光面对置的背面侧的表层，具有以第1浓度含有n型或者p型的杂质元素的第1杂质扩散层、以及以比所述第1浓度低的第2浓度含有与所述第1杂质扩散层相同的导电类型的杂质元素的第2杂质扩散层；第1电极，在所述半导体基板中的形成有所述杂质扩散层的面形成于多个部位，电连接于所述第1杂质扩散层；以及第2电极，以与所述杂质扩散层分离的状态电连接多个所述第1电极。2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元，其特征在于，所述太阳能电池单元具备钝化膜，该钝化膜形成于所述杂质扩散层上，所述第1电极埋设于所述钝化膜，所述第2电极形成于所述钝化膜上以及所述第1电极上。3.根据权利要求1或者2所述的太阳能电池单元，其特征在于，所述第1电极形成为具有既定的间隔的点状。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，具备：p型的受光面侧杂质扩散层，形成于所述半导体基板的受光面侧的表层，含有p型的杂质元素；受光面侧钝化膜，形成于所述受光面侧杂质扩散层上；以及受光面侧电极，电连接于所述受光面侧杂质扩散层，所述杂质扩散层是形成于所述半导体基板中的背面侧的表层的n型的背面侧杂质扩散层，所述钝化膜是背面侧钝化膜，所述第1电极以及所述第2电极是与所述背面侧杂质扩散层电连接的背面侧电极。5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的太阳能电池单元，其特征在于，具备：n型的背面侧杂质扩散层，形成于所述半导体基板的背面侧的表层，含有n型的杂质元素；背面侧钝化膜，形成于所述背面侧杂质扩散层上；以及背面侧电极，电连接于所述背面侧杂质扩散层，所述杂质扩散层是形成于所述半导体基板中的受光面侧的表层的p型的受光面侧杂质扩散层，所述钝化膜是受光面侧钝化膜，所述第1电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：幸畑隼人，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP