一种n‑p‑p+结构电池的制备方法技术

本发明专利技术公开一种n‑p‑p+结构电池的制备方法，本发明专利技术在p+层表面先镀AlOx/SiNx钝化层，然后在此之上再叠加一层氮化硅层，背面的膜结构同时起到钝化及掩模的作用，可有效避免卡点印或掉渣问题破坏掩模层，另外由于不需要清洗掉掩模，也可避免原来方式中掩模清洗后对钝化表面的破坏，同时更厚的掩模在多次清洗之后还能保留有足够的厚度满足钝化需求。

A preparation method of N P p+ battery structure

The invention discloses a preparation method of a n p p+ structure of battery, the invention in the p+ layer surface plating AlOx/SiNx passivation layer, and then on the superposition of a layer of silicon nitride layer on the back of the membrane structure and play a role and passivation of the mask, can effectively avoid the card printing or dregs damage the mask layer, also because it does not need to wash away the mask, can also avoid the damage to the original way of surface passivation mask after cleaning, and mask more thick in times after cleaning can retain sufficient thickness to meet the needs of passivation.

【技术实现步骤摘要】
一种n-p-p+结构电池的制备方法
本专利技术属于太阳能光伏领域，具体涉及一种n-p-p+结构电池的制备方法。
技术介绍
太阳能光伏作为洁净能源的一种是未来能源解决方案的候选之一。特别是经过近年来的发展，其应用日渐广泛，工艺日趋成熟。太阳能电池是以半导体材料为基础的能量转换器件，是太阳能发电的核心部分，低成本、高效率是当前晶体硅太阳能电池的发展方向。当前p型PERC(passivatedemitterandrearcontact，钝化发射极背面接触)结构电池以其可观的效率提升、良好的工艺兼容性及相对低廉的设备投入已逐渐成为当今主流的量产化的高效电池技术。而在PERC技术基础上升级的下一代高效电池技术目前是行业内研究的重点。n-p-p+结构电池，也即p型PERT(passivatedemitterandreartotallydiffused)结构电池是量产型高效电池技术下一步发展的主要方向之一，它在PERC结构基础上背面增加了一个p+的高低结背场，可以对背表面起到更好的钝化作用，从而进一步提升电池的效率。P型PERT的结构为n-p-p+，需要在硅片的正反面分别作n型及p型的掺杂，另外要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种n‑p‑p+结构电池的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：1)对p型硅片进行抛光去损伤处理；2)将两片步骤1)得到的p型硅片背靠背放置后，将其放置在硼掺杂源的氛围中扩散或采用旋涂方式进行掺杂；3)去除步骤2)得到的p型硅片的硼硅玻璃，在p型硅片的背面形成p+层；4)采用背钝化设备在步骤3)得到的p型硅片的p+层表面制备AlOx/SiNx钝化层，对p+层进行钝化；5)将步骤4)得到的p型硅片的钝化层表面上再次制备一层氮化硅；6)在步骤5)得到的p型硅片的正面制备绒面；7)在步骤6)得到的p型硅片的正面进行磷离子掺杂，在p型硅片的正面形成n层，制备pn结；8)去除步骤7)得到的p型硅片的边...

【技术特征摘要】
1.一种n-p-p+结构电池的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：1)对p型硅片进行抛光去损伤处理；2)将两片步骤1)得到的p型硅片背靠背放置后，将其放置在硼掺杂源的氛围中扩散或采用旋涂方式进行掺杂；3)去除步骤2)得到的p型硅片的硼硅玻璃，在p型硅片的背面形成p+层；4)采用背钝化设备在步骤3)得到的p型硅片的p+层表面制备AlOx/SiNx钝化层，对p+层进行钝化；5)将步骤4)得到的p型硅片的钝化层表面上再次制备一层氮化硅；6)在步骤5)得到的p型硅片的正面制备绒面；7)在步骤6)得到的p型硅片的正面进行磷离子掺杂，在p型硅片的正面形成n层，制备pn结；8)去除步骤7)得到的p型硅片的边缘pn结及去除其表面的磷硅玻璃；9)在步骤8)得到的p型硅片的正面制备正面钝化减反层；10)在步骤9)得到的p型硅片的背面进行激光开槽；11)对步骤10)得到的p型硅片进行丝网印刷电极并烧结，形成n-p-p+结构电池。2.根据权利要求1所述的n-p-p+结构电池的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)中，对p型硅片进行抛光处理的去损量为3～15um。3.根据权利要求1所述的n-p-p+结构电池的制备方法，其特征在于，在所述步骤2)中，掺杂源为气态BBr3，掺杂方阻为30～80Ω/□。4.根据权利要求1所述的n-p-p+...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝家平，陆森荣，
申请(专利权)人：江苏科来材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32