具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池制造技术

本实用新型专利技术提供一种具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池，包括衬底，衬底采用n型晶体硅片，n型晶体硅片的正面由里到外依次设置n+型晶体硅层、正面钝化减反射层以及穿透正面钝化减反射层并与n型晶体硅片接触的正面金属电极；n型晶体硅片的背面依次设置p++型硅膜层、n++型硅膜层、背面钝化减反射层以及穿透背面钝化减反射层并与n++型硅膜层接触的背面金属电极；本实用新型专利技术电池背面采用p++型硅膜层与n型晶体硅片形成的异质结发射极具有较低复合电流密度；n++型硅膜层既能与p++型硅膜层形成遂穿复合结有效传输光生电流，又能与金属背电极直接形成良好的欧姆接触。

【技术实现步骤摘要】
具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池
本技术涉及一种具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池。
技术介绍
随着光伏市场的发展，人们对高效晶体硅电池的需求越来越急迫。相对p型晶体硅电池而言，由于n型晶体硅对金属杂质不敏感，或者说具有很好的忍耐性能，故其少数载流子具有较大的扩散长度；此外，n型晶体硅采用磷掺杂，不存在因光照而导致B-O络合体的形成，因而不存在p型晶体硅电池中的光致衰退现象。因此，n型晶体硅电池逐渐成为众多研究机构和光伏企业关注的对象。在所有n型晶体硅电池中，n-PERT双面电池（PassivatedEmitterRearTotally-diffused，即发射结钝化全背场扩散电池），如附图1所示，是器件结构和制备工艺与现有p型晶硅电池最接近的，最容易被大多数企业采用的技术路径。通常，n-PERT双面电池以n型单晶硅片，如图1中的n型晶体硅层01为衬底，在其正、背面分别掺杂硼、磷原子形成p+型晶体硅层02、n+型晶体硅层05，形成p+n发射极和nn+背电场，然后采用介质膜钝化正、背面分别形成正面钝化减反射膜层03、背面钝化减反射膜层06，最后穿透介质膜形成正面金属电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池，其特征在于：包括衬底，衬底采用n型晶体硅片，n型晶体硅片的正面由里到外依次设置n+型晶体硅层、正面钝化减反射层以及穿透正面钝化减反射层并与n型晶体硅片接触的正面金属电极；n型晶体硅片的背面依次设置p++型硅膜层、n++型硅膜层、背面钝化减反射层以及穿透背面钝化减反射层并与n++型硅膜层接触的背面金属电极。

【技术特征摘要】
1.一种具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池，其特征在于：包括衬底，衬底采用n型晶体硅片，n型晶体硅片的正面由里到外依次设置n+型晶体硅层、正面钝化减反射层以及穿透正面钝化减反射层并与n型晶体硅片接触的正面金属电极；n型晶体硅片的背面依次设置p++型硅膜层、n++型硅膜层、背面钝化减反射层以及穿透背面钝化减反射层并与n++型硅膜层接触的背面金属电极。2.如权利要求1所述的具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池，其特征在于：n型晶体硅片采用n型单晶硅片或n型多晶硅片，n型晶体硅片的电阻率在0.3~10Ωcm，厚度在50~500um。3.如权利要求1所述的具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池，其特征在于：n+型晶体硅层的厚度在0.2~2um，方块电阻在20~200Ω/□。4.如权利要求3所述的具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池，其特征在于：p++型硅膜层采用硼掺杂的非晶硅、非晶氧化硅、微晶硅、微晶氧化硅或多晶硅，p++型硅膜层的厚度在10nm~10um。5.如权利要求4所述的具有多晶硅钝化遂穿复合结的N型双面晶硅电池，其特征在于：p++型硅膜层与n型晶体硅片之间附带一层超薄氧化硅层，超薄氧化硅层厚度在1~3nm。...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛卫平，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32