一种用于电子级多晶硅消解和快速挥发干扰组分的装置制造方法及图纸

技术编号:13521260 阅读:64 留言:0更新日期:2016-08-14 11:29
本实用新型专利技术公开了一种用于电子级多晶硅消解和快速挥发干扰组分的装置,其包括水浴桶,所述水浴桶顶部连接有密封套筒,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端设置有伸入到所述水浴桶中的多个放置试管的管槽,所述管槽的底端封闭,所述管槽的顶端开口,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成一个密闭空间,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成的密闭空间通过进水管和回水管与设置在水浴桶外部的形成一个密封回路。本实用新型专利技术在样品消化、干扰物挥发过程中既能够保护样品免受外界污染,同时又能够提高挥发效率。

【技术实现步骤摘要】
201521101628

【技术保护点】
一种用于电子级多晶硅消解和快速挥发干扰组分的装置,其特征在于,其包括水浴桶,所述水浴桶顶部设置有密闭的密封套筒,所述密封套筒靠近所述水浴桶的一端设置有向下延伸伸入到所述水浴桶中的多个放置试管的管槽,所述管槽的底端封闭,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成一个密闭空间,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成的密闭空间通过进水管和回水管与设置在所述水浴桶外部的加热水槽形成一个密封回路。

【技术特征摘要】
1.一种用于电子级多晶硅消解和快速挥发干扰组分的装置,其特征在于,其包括水浴桶,所述水浴桶顶部设置有密闭的密封套筒,所述密封套筒靠近所述水浴桶的一端设置有向下延伸伸入到所述水浴桶中的多个放置试管的管槽,所述管槽的底端封闭,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成一个密闭空间,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成的密闭空间通过进水管和回水管与设置在所述水浴桶外部的加热水槽形成一...

【专利技术属性】
技术研发人员:贺珍俊李辉宗凤云曹忠高云龙刘淑萍陈大勇
申请(专利权)人:内蒙古神舟硅业有限责任公司
类型:新型
国别省市:内蒙古;15

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