【技术实现步骤摘要】
201521101628
【技术保护点】
一种用于电子级多晶硅消解和快速挥发干扰组分的装置,其特征在于,其包括水浴桶,所述水浴桶顶部设置有密闭的密封套筒,所述密封套筒靠近所述水浴桶的一端设置有向下延伸伸入到所述水浴桶中的多个放置试管的管槽,所述管槽的底端封闭,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成一个密闭空间,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成的密闭空间通过进水管和回水管与设置在所述水浴桶外部的加热水槽形成一个密封回路。
【技术特征摘要】
1.一种用于电子级多晶硅消解和快速挥发干扰组分的装置,其特征在于,其包括水浴桶,所述水浴桶顶部设置有密闭的密封套筒,所述密封套筒靠近所述水浴桶的一端设置有向下延伸伸入到所述水浴桶中的多个放置试管的管槽,所述管槽的底端封闭,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成一个密闭空间,所述密封套筒与所述水浴桶连接的一端与所述水浴桶形成的密闭空间通过进水管和回水管与设置在所述水浴桶外部的加热水槽形成一...
【专利技术属性】
技术研发人员:贺珍俊,李辉,宗凤云,曹忠,高云龙,刘淑萍,陈大勇,
申请(专利权)人:内蒙古神舟硅业有限责任公司,
类型:新型
国别省市:内蒙古;15
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