【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及适合用在化学气相沉积反应过程中的装置，所述装置具有反应室，所述反应室的内室表面具有热控层以减少发射率；本公开还涉及所述装置在生产多晶硅中的应用。
技术介绍
在半导体工业中，常见的做法是通过被称为化学气相沉积(“CVD”)的工序来生产高纯度的硅。简言之，在反应室内将某些具有硅含量的物质加热到高温，使它们在处于气态的同时经历分解并产生元素硅。取决于反应室的设计以及它是否另外含有沉积表面，收集的元素硅可以是粉末或棒。这样的硅经常被称作多晶硅。其中一种普遍采用的生产多晶硅的常规方法是通过在CVD反应器中沉积多晶硅，并且一般被称为西门子法。在该方法中，通过含硅气体例如三氯硅烷或单硅烷的分解，使多晶硅在CVD反应器内沉积到高纯度、电加热的细硅棒上，所述细硅棒有时被称为细丝。硅沉积到细丝上，从而生长出较大直径的棒，同时将所述棒保持在升高的温度下，通常为700至1100°C。为了促进硅沉积到生长的棒上而不是反应器的壁上，有必要冷却反应器壁并将它们的表面温度维持在一定水平，低于所述水平时不会发生任何明显程度的硅沉积，通常是450°C以下。以这种方式生产元素硅的过程是能量...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.19 US 61/365,7531.学气相沉积反应器系统，其包括具有内表面且限定出反应室的壁，一部分所述壁为朝向所述室的热控层，所述热控层由在300K下测得的发射系数为不超过0.1并且硬度为至少3.5Moh的物质构成。2.权利要求1的反应器系统，其中热控层的厚度不超过100微米。3.权利要求1的反应器系统，其中热控层的发射系数不超过0.05。4.权利要求1的反应器系统，其中热控层是选自钨、钽、镍、钼、铬和钥的物质的涂层。5.权利要求4的反应器系统，其中热控层是镍。6.权利要求5的反应器系统,其中镍是电镀镍。7.权利要求4的反应器系统，其中热控层由相对纯的物质构成。8.学气相沉积反应器系统，其包括具有内表面且限定出反应室的壁，一部分所述壁为朝向所述室的热控层，所述热控层为电镀镍且平均厚度为5至75微米。9.权利要求8的反应器系统，其中热控层由相对纯的电镀镍构成。10.关于沉积元素硅的方法，所述方法包...
【专利技术属性】
技术研发人员：科里施纳库马尔·M·嘉亚卡，乌尔班·R·库尔特根，
申请(专利权)人：瑞科硅公司，
类型：
国别省市：
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