沉积金属和金属氧化物膜以及图案薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及不含光刻胶的由金属配合物沉积金属，如铜，或其氧化物膜的方法。更具体地，该方法包含将金属配合物的非晶膜涂敷在衬底上。该金属配合物具有通式Ｍ＃－［ｆ］Ｌ＃－［ｇ］Ｘ＃－［ｈ］，其中，Ｍ选自Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｉｒ和Ｏｓ；Ｌ是如通式（Ｒ＃－［２］ＮＣＲ＃－［２］＇ＣＯ）的配位体，其中Ｒ，Ｒ’均独立选自Ｈ、Ｃ＃－［ｎ］Ｈ＃－［ｍ］和Ｃ＃－［ｎ］Ｈ＃－［ｍ］Ａ＃－［ｘ］Ｂ＃－［ｙ］，其中Ａ和Ｂ均独立选自主族元素；ｆ、ｇ、ｈ、ｎ、ｍ、ｘ和ｙ代表整数；Ｘ是阴离子并独立选自Ｎ＃－［３］、ＮＣＯ、ＮＯ＃－［３］、ＮＯ＃－［２］、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＯＨ、Ｈ、ＣＨ＃－［３］。通过例如热、光化学或电子束的辐射，这些膜可转化成金属或其氧化物。利用直射光或电子束，通过一步即可形成带图案的金属或金属氧化物膜。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种在衬底上制备含金属材料的图案薄膜的方法，包括： ａ）．将通式为Ｍ↓［ｆ］Ｌ↓［ｇ］Ｘ↓［ｈ］的金属前体配合物的非晶膜涂敷在衬底上，其中，Ｍ选自Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｉｒ和Ｏｓ；Ｌ是如通式（Ｒ↓［２］ＮＣＲ↓［２］’ＣＯ）的配位体，其中Ｒ，Ｒ’均独立选自Ｈ、Ｃ↓［ｎ］Ｈ↓［ｍ］和Ｃ↓［ｎ］Ｈ↓［ｍ］Ａ↓［ｘ］Ｂ↓［ｙ］，其中Ａ和Ｂ均独立选自主族元素；ｆ、ｇ、ｈ、ｎ、ｍ、ｘ和ｙ代表整数；Ｘ是阴离子并独立选自Ｎ↓［３］、ＮＣＯ、ＮＯ↓［３］、ＮＯ↓［２］、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＯＨ、Ｈ、ＣＨ↓［３］；和 ｂ）．辐射所述非晶膜以使所述金属配合物进行反应，该反应将所述金属配合物转化成粘合在所述衬底上的含金属材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：RH希尔，石有茂，
申请(专利权)人：西蒙弗雷泽大学，
类型：发明
国别省市：CA[加拿大]