亚苯基聚合物、方法及其用途技术

本文描述了阴离子亚苯基低聚物和聚合物，以及包括这些材料的装置。所述低聚物和聚合物可以以便利的和良好控制的方式制备，并且可以用于阳离子交换膜。还描述了在精确控制阴离子基团的位置和数量的情况下阴离子亚苯基单体的受控合成及其在合成阴离子低聚物和聚合物中的用途。中的用途。中的用途。

【技术实现步骤摘要】
亚苯基聚合物、方法及其用途
[0001]本申请是申请日为2018年4月10日、申请号为201880038468.6、专利技术名称为“亚苯基聚合物、方法及其用途”的中国专利技术专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求2017年4月10日提交的第62/483,668号临时申请的权益，其公开内容整体通过引用并入本文。
[0004]背景
[0005]由于基于烃的质子交换膜(PEM)和离聚物易于合成、成本低、气体渗透少、T
g
高以及环境问题较少，因此积极寻求用于电化学应用(例如燃料电池、电解槽和水处理)的基于烃的质子交换膜(PEM)和离聚物作为传统的全氟磺酸(PFSA)离聚物的替代品。已经研究了许多不同的含离子的聚合物，主要的重点放在掺入芳族基团作为聚合物主链的一部分的那些上，例如聚(亚芳基醚)、聚(亚芳基醚酮)、聚(亚芳基砜)、聚(酰亚胺)和聚(苯并咪唑)的磺化衍生物。然而，迄今为止，基于烃的离聚物经常在非原位(例如，Fenton试剂测试)和/或原位(例如，在PEM燃料电池中)情况下受到对氧化降解的较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚合物，其包含式(I)的重复单元：其中：R
1A
、R
1B
、R
1C
、R
1D
、R
1E
和R
1F
独立地为芳基或杂芳基，各自任选地被1、2、3、4或5个独立地选自C1‑6烷基、卤素、硝基、氰基、SO3‑
X
+
、PO
32
‑
X
+2
和COO
‑
X
+
的取代基取代，其中X
+
为H
+
或阳离子，并且条件是R
1A
、R
1B
、R
1C
、R
1D
、R
1E
和R
1F
中的至少两个独立地为被1、2、3、4或5个独立地选自SO3‑
X
+
、PO
32
‑
X
+2
和COO
‑
X
+
的取代基取代的芳基或杂芳基；R
1G
和R
1H
独立地为H、芳基或杂芳基，其中所述芳基和杂芳基各自任选地被1、2、3、4或5个独立地选自C1‑6烷基、卤素、硝基、氰基、SO3‑
X
+
、PO
32
‑
X
+2
和COO
‑
X
+
的取代基取代，其中X
+
为H
+
或阳离子；A1为亚芳基、杂亚芳基、亚芳烷基或杂亚芳烷基，各自任选地被1、2、3或4个独立地选自卤素、硝基、氰基、芳基和杂芳基的取代基取代；A2不存在、或为亚芳基或杂亚芳基，其中所述亚芳基和杂亚芳基各自任选地被1、2、3或4个独立地选自卤素、硝基、氰基、芳基和杂芳基的取代基取代；L1为任选取代的连接杂原子、亚芳基、杂亚芳基、亚芳烷基或杂亚芳烷基，其中所述亚芳基、杂亚芳基、亚芳烷基和杂亚芳烷基各自任选地被1、2、3或4个独立地选自C1‑6烷基、卤素、硝基、氰基、芳基和杂芳基的取代基取代；L2不存在、或为亚芳基或杂亚芳基，其中所述亚芳基和杂亚芳基各自任选地被1、2、3或4个独立地选自C1‑6烷基、卤素、硝基、氰基、芳基和杂芳基的取代基取代；和L3不存在、或为亚芳基或杂亚芳基，其中所述亚芳基和杂亚芳基各自任选地被1、2、3或4个独立地选自C1‑6烷基、卤素、硝基、氰基、芳基和杂芳基的取代...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：西蒙弗雷泽大学，
类型：发明
国别省市：