双倒筒靶结合基片双轴旋转的镀膜装置制造方法及图纸

一种双倒筒靶结合基片双轴旋转的镀膜装置，包括：转动驱动轴１、基片导轨２以及基片３，圆筒形靶材９，真空腔体１６，由转动驱动轴１、基片导轨２以及基片３构成双轴旋转机构，其特征是它还包括：圆筒形靶材１０、圆筒形靶材１０位于圆筒形靶材９相对应的另一端，加热丝１１、连接加热丝两端的电极１３、１４，圆筒形热屏蔽层１５，由多根加热丝１１围成圆筒形加热器１２，圆筒形加热器１２位于圆筒形热屏蔽层１５之中，所述的双轴旋转机构位于圆筒形加热器１２之中。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于真空
，它特别涉及薄膜材料的物理气相沉积装置。
技术介绍
溅射沉积方法是薄膜制备技术中的重要方法，然而溅射方法与众多物理气相沉积方法(如蒸发、脉冲激光沉积)相比，其沉积速率低。在大多数情况下溅射沉积方法的沉积速率比蒸发、脉冲激光沉积低1～2个数量级。一方面较低的沉积速率将延长薄膜的制备时间而降低生产效率；另一方面，对于许多氧化物薄膜材料的制备要求对薄膜材料进行原位热处理，即在成膜过程中基片一直处于高温状态，薄膜制备时间的越长，基片与薄膜间的互扩散问题将越严重，而这种互扩散会降低薄膜的性能。所以，在保证薄膜成膜质量的前提下，我们希望能够尽量提高薄膜的成膜速率。大面积双面薄膜的制备是提高薄膜生产效率的有效方法，然而大面积双面薄膜的制备必须考虑薄膜均匀性和两面一致性的问题，这需要通过基片或沉积源的运动来解决。在众多运动方式中，仅有基片双轴旋转(技术专利ZL01206056.9)在不降低沉积速率的前提下，保证了大面积薄膜的均匀性和两面一致性，所以其特别适用于大面积双面薄膜的制备。虽然大面积薄膜的制备提高了生产效率，但是热处理时间并未减少，所以基片与薄膜间的互扩散问题仍没本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李言荣，陶伯万，陈家俊，刘兴钊，张鹰，邓新武，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：