封装结构及其形成方法技术

实施例是一种方法，该方法包括使用第一电连接件将第一管芯接合至中介片的第一侧，使用第二电连接件将第二管芯接合至中介片的第一侧，将第一伪管芯附接至邻近第二管芯的中介片的第一侧，用密封剂密封第一管芯、第二管芯和第一伪管芯，以及分割中介片和第一伪管芯以形成封装结构。本发明专利技术的实施例还提供了一种半导体结构。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其形成方法
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及封装结构及其形成方法。
技术介绍
随着集成电路(IC)的发展，由于各个电部件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。大多数情况下，这种集成密度的改进来自于最小特征尺寸的不断减小，这允许更多的部件集成到给定的区域。这些集成的改进本质上是二维(2D)的，因为由集成的部件所占据的区域实质位于半导体晶圆的表面上。集成电路增大的密度和相应减小的面积通常超过将集成电路芯片直接接合至衬底的能力。中介片已经用于将球接触区从芯片的区域再分布至中介片的更大的区域。此外，中介片已经允许包括多个芯片的三维(3D)封装件。其它封装件也已经发展为包含3D方面。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种方法，包括：使用第一电连接件将第一管芯接合至中介片的第一侧；使用第二电连接件将第二管芯接合至所述中介片的所述第一侧；将第一伪管芯附接至所述中介片的邻近所述第二管芯的所述第一侧；用密封剂密封所述第一管芯、所述第二管芯和所述第一伪管芯；以及分割所述中介片和所述第一伪管芯以形成封装结构。根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：使用第一电连接件将第一管芯接合至中介片的第一侧；使用第二电连接件将第二管芯接合至所述中介片的所述第一侧；将第一伪管芯附接至所述中介片的邻近所述第二管芯的所述第一侧；用密封剂密封所述第一管芯、所述第二管芯和所述第一伪管芯；以及分割所述中介片和所述第一伪管芯以形成封装结构。

【技术特征摘要】
2016.11.14 US 62/421,775;2017.08.11 US 15/675,2881.一种方法，包括：使用第一电连接件将第一管芯接合至中介片的第一侧；使用第二电连接件将第二管芯接合至所述中介片的所述第一侧；将第一伪管芯附接至所述中介片的邻近所述第二管芯的所述第一侧；用密封剂密封所述第一管芯、所述第二管芯和所述第一伪管芯；以及分割所述中介片和所述第一伪管芯以形成封装结构。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中介片是第三管芯。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中介片是包括再分布结构的块状衬底，所述第一管芯和所述第二管芯接合至所述再分布结构。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述分割包括锯穿所述中介片和所述第一伪管芯以形成所述封装结构。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一管芯包括一个或多个逻辑管芯，并且所述第二管芯包括一个或多个存储器管芯。6.一种方法，包括：在衬底中形成通孔；在所述衬底的第一侧上形成第一再分布结构，所述第一再分布结构电连接至所述通孔；使用第一电连接件将逻辑管芯接合至所述第一再分布结构，所述第一电连接件电连接至所述第一再分布结构；使用第二电连接件将存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：施应庆，吴集锡，余振华，吴志伟，林俊成，王卜，卢思维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71