溅射源和溅射装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于不破坏有机薄膜表面地在其上形成溅射膜。在配置了靶（１１３ａ）的筒状侧壁（１０３）的开口中配置有粒子通路（１３０ａ），在其两侧配置有第１、第２捕集磁铁（１２１ａ、１２２ａ），在粒子通路（１３０ａ）中形成磁力线。在欲通过粒子通路（１３０ａ）的喷溅粒子中，只有中性粒子直行，因此，在成膜对象物的有机薄膜表面上形成溅射膜。由于带电粒子、电子因磁力线的作用而其飞行飞行弯曲，不会到达有机薄膜表面上，所以对有机薄膜的破坏较小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机EL元件的制造方法及制造装置，特别是关于通过喷溅在有机层上形成电极的有机EL元件的制造方法及制造装置。
技术介绍
以往，在有机层上形成电极、特别是形成金属或合金的电极的情况下，一直采用蒸镀法。这是由于在蒸镀法中几乎不产生电子等，不会对有机层带来损伤的缘故。但是，在蒸镀法中，由于是将金属或合金加热到高温使其蒸发，并蒸镀在已形成有机层的基板上，所以为了有机层不因高温而损伤，要使蒸镀源充分离开基板，并且要对基板进行冷却。另外，由于抑制了温度上升，所以成膜速度也不快。进而，由于在蒸镀法中不能够使用高沸点的金属，所以在使用的金属上存在限制。特别是不能够使用高沸点的金属化合物等。因此，提出了通过喷溅在有机层上形成电极膜的方法。但是，在通常的半导体上等形成电极膜的喷溅方法中，存在所产生的带电粒子对有机层带来损伤的情况。由于在有机EL等上使用的有机层非常纤细，所以存在因入射的带电粒子造成的损伤，电子或空穴的传递等功能消失或显著降低的情况。因此，专利文献1中公开了如下的技术在基板和靶之间设置接地电位或正电位的栅极、小孔，减少碰撞到基板上的电子。而且，专利文献2中公开了如下的技术在基板和靶之间产生与基板平行的磁场，减少碰撞到基板上的电子。但是，在上述现有技术中，随着基板的大型化，栅极或小孔、磁场发生装置也要大型化，因而实际上难以对应。另外，如果备有较大的栅极或小孔，则存在清洁的频度增加，不利于保养的情况。进而，还存在受到因污物的剥离而产生的弧光等影响的情况。进而，在同时或依次地对多种金属进行成膜的情况下，存在用一个装置而无法实施的情况。专利文献1特开平10-1588专利文献2特开平10-228981
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电极膜的形成方法及形成装置，在通过喷溅在有机层上形成金属等溅射膜的情况下，能够抑制损坏有机层。另外，本专利技术的目的在于提供一种即使是大型的基板也能够容易应对的溅射膜的形成方法及形成装置。进而，本专利技术的目的还在于提供一种能够用一个装置同时或依次对多种金属进行溅射的电极膜的形成装置。为了解决上述问题，本专利技术的溅射源具有筒状侧壁，和配置在所述筒状侧壁内、由所述筒状侧壁包围的靶，从所述靶放出的喷溅粒子从所述筒状侧壁一端的开口向所述筒状侧壁的外部放出，其中，具有磁力线形成部；通过所述磁力线形成部，在所述开口附近的所述喷溅粒子通过的位置上形成有磁力线；所述喷溅粒子中所包含的带电粒子在向所述筒状侧壁的外部放出时，其飞行方向因所述磁力线而弯曲。本专利技术的溅射源是，上述磁力线形成部具有配置在上述开口处的第1捕集磁铁，和离开地配置在所述第1捕集磁铁的外侧的第2捕集磁铁；上述喷溅粒子通过所述第1、第2捕集磁铁之间，向上述筒状侧壁的外部放出。本专利技术的溅射源是，具有多个孔的过滤器配置在上述开口处，上述喷溅粒子通过上述孔向上述筒状侧壁的外部放出。本专利技术的溅射源是，上述过滤器具有导电性，上述过滤器连接在与配置了上述溅射源的真空槽相同的电位上。本专利技术的溅射源是，上述靶至少具有两个；所述两个靶是溅射面对合地沿着上述筒状侧壁的壁面配置的；上述开口位于所述各靶的侧方。本专利技术的溅射装置是，在真空槽内配置有溅射源，通过所述溅射源，在送入所述真空槽内的成膜对象物上形成薄膜，其中，所述溅射源具有筒状侧壁，配置在所述筒状侧壁内、由所述筒状侧壁包围的靶，以及磁力线形成部；从所述靶放出的喷溅粒子从所述筒状侧壁一端的开口向所述真空槽内放出；通过所述磁力线形成部，在所述开口附近的所述喷溅粒子通过的位置上形成有磁力线；所述喷溅粒子中所包含的带电粒子在向所述真空槽内放出时，其飞行方向因所述磁力线而弯曲。本专利技术的溅射装置是，上述磁力线形成部具有配置在上述开口处的第1捕集磁铁，和离开地配置在所述第1捕集磁铁外侧的第2捕集磁铁；上述喷溅粒子通过所述第1、第2捕集磁铁之间，向上述筒状侧壁的外部放出。本专利技术的溅射装置是，具有多个孔的过滤器配置在上述开口中，上述喷溅粒子通过上述孔向上述筒状侧壁的外部放出。本专利技术的溅射装置是，上述过滤器具有导电性，上述过滤器连接在与配置了上述溅射源的真空槽相同的电位上。本专利技术的溅射装置是，上述靶至少具有两个；所述两个靶是溅射面对合地沿着上述筒状侧壁的壁面配置的；上述开口位于所述各靶的侧方。本专利技术如上所述构成，在筒状侧壁内生成的喷溅粒子向筒状侧壁的外部放出之际，与磁力线形成部所形成的磁力线相交叉，喷溅粒子中所包含的带电粒子、电子的飞行方向弯曲，不到达成膜对象物上。在开口中配置有导电性过滤器、导电性的盖部，过滤器、盖部连接在接地电位上的情况下，由于带电粒子入射到过滤器、盖部上而被捕捉，所以能够进一步可靠地防止带电粒子到达成膜对象物。因此，根据本专利技术，由于电子、带电粒子不入射到成膜对象物上，所以不会在成膜对象物表面的有机薄膜上产生损坏。过滤器既可以是在导电性的板上形成一个至多个贯通孔，也可以采用导电性的网。在有机薄膜表面上形成溅射膜之际，由于电子、离子不入射到有机薄膜表面上，所以不会在有机薄膜上产生损坏。附图说明图1为本专利技术的溅射装置的一例。图2为本专利技术第1例的溅射源。图3为本专利技术第2例的溅射源。图4为本专利技术第3例的溅射源。图5为本专利技术第1例的溅射源的示意立体图。图6为本专利技术第1例的溅射源的分解立体图。图7为本专利技术第4例的溅射源。图8为本专利技术第5例的溅射源。图9为本专利技术第6例的溅射源。图10为本专利技术第5例的溅射源的示意立体图。图11为本专利技术第5例的溅射源的分解立体图。图12为第1例的过滤器的俯视图。图13为第2例的过滤器，(a)为俯视图，(b)为立体图。图14为本专利技术第7例的溅射源。具体实施例方式参照图1，附图标记10是本专利技术的溅射装置。在其真空槽5的底壁上配置有一台至多台本专利技术第1例的溅射源11。在真空槽5的天井一侧配置有成膜对象物6。在真空槽5上连接有真空排气系统9，对真空槽5内进行真空排气，将真空槽5的内部和第1例的溅射源11(及后述的各例的溅射源)的内部置于真空氛围中。溅射源11如后所述，构成为向真空槽5内放出喷溅粒子。在成膜对象物6的表面上形成有有机薄膜。成膜对象物6以与溅射源11对置的状态旋转，从溅射源11放出的喷溅粒子均匀地到达成膜对象物6的有机薄膜表面上，在有机薄膜表面上形成膜厚分布均匀的溅射薄膜。在该例中，溅射源11是两台，成膜对象物6配置在溅射源11的中央附近之上，从两侧的溅射源11放出的喷溅粒子到达成膜对象物6的表面上。既可以从两侧的溅射源11放出相同的喷溅粒子，也可以放出不同物质的喷溅粒子。图2为第1例的溅射源11的内部示意图，图5为其示意立体图，图6为分解立体图。这种溅射源11具有靶部110a和包围该靶部110a的筒状侧壁103，在作为筒状侧壁103的一端的开口部分配置有第1第一捕集磁铁121a。图2中的附图标记108表示构成筒状侧壁103的开口部分的筒前端。在筒状侧壁103外周的侧面上配置有第2捕集磁铁122a。筒状侧壁103是圆筒形或方筒形等的筒形，第1、第2捕集磁铁121a、122a为环状。第1捕集磁铁121a位于筒状侧壁103的外部、筒状侧壁103的开口部分上。第1捕集磁铁121a比筒前端108要小，在与筒前端108之间，如后所述，构成粒子通路130a，作为从靶部110a本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射源，具有筒状侧壁，配置在所述筒状侧壁内、由所述筒状侧壁包围的靶，从所述靶放出的喷溅粒子从所述筒状侧壁一端的开口向所述筒状侧壁的外部放出，其特征是，具有磁力线形成部；通过所述磁力线形成部，在所述开口附近的所述喷溅粒子通过的位置上形成有磁力线；所述喷溅粒子中所包含的带电粒子在向所述筒状侧壁的外部放出时，其飞行方向因所述磁力线而弯曲。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：根岸敏夫，伊藤正博，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]