【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种表面电离型溅射离子源中的电离器。表面电离型溅射离子源中的电离器是利用高功函数金属表面热电离技术使原子电离,产生离子。公知的电离器是用钽管绕成螺旋圈,管内有与钽管绝缘的电热丝,通电加热,螺旋圈为热表面,其内表面为有效离子发射面。由于螺旋圈的内表面不是平面,而且螺旋圈匝间有间隙,因此发射面不是连续平面。对比文献《Improvements in ANIS and inverted sputter sources》,B.A.Strasters et al.,NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH 220 (1984)109-111,和《High-perfomance low-maintenancesputter source》,T.A.Trainor et al.,NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODSIN PHYSICS RESEARCH A287(1990)176-179,表明了这种电离器的结构。这种电离器寿命较短,是一次性使用的易损部件,国内没有生产,需从国外 ...
【技术保护点】
一种表面电离型溅射离子源中的电离器,是由处于高温状态的高功函数材料构成,其特征在于由一个电加热元件构成的筒状加热器和一个高功函数材料的薄片组合而成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员:缴桂跃,王文勋,王广甫,董平,
申请(专利权)人:北京师范大学,
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]
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