用于刷新存储单元的方法以及存储系统技术方案

一种用于刷新存储单元的方法包括：从多个存储单元中读取数据；以及用第一数据来对多个存储单元之中的读取第一数据的存储单元执行写入操作。

【技术实现步骤摘要】
用于刷新存储单元的方法以及存储系统相关申请的交叉引用本申请要求2016年11月9日提交的申请号为10-2016-0148823的韩国专利申请的优先权，其内容通过引用整体合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种存储器件，更具体地，涉及一种存储器件的刷新操作。
技术介绍
近来，正在研究和开发下一代存储器件来取代动态随机存取存储(DRAM)器件和快闪存储器件。在下一代存储器件之中，存在使用可变电阻材料的电阻式存储器件，该可变电阻材料的电阻水平根据施加给其的偏压而急剧改变，使得该材料的电阻可以变成两种不同电阻状态中的一种。电阻式存储器件的非限制性示例包括相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、铁电式随机存取存储器(FRAM)等。电阻式存储器件通常可以具有交叉点阵列结构的存储单元阵列。在交叉点阵列结构中，存储单元设置在由多个下电极(例如，多个行线(字线))和多个上电极(例如，多个列线(位线))形成的交叉点处。每个存储单元具有串联耦接的电阻式器件和选择器件。在数据被写入至电阻式存储器件的存储单元中之后，数据可能因随着时间的流逝而改变电阻式存储器件的电阻值的漂移现象而丢失。
技术实现思路
本专利技术的实施例针对一种用于在储存于电阻式存储器件中的数据丢失之前有效地刷新电阻式存储器件的技术。根据本专利技术的一个实施例，一种用于刷新存储单元的方法包括：从多个存储单元中读取数据；以及用第一数据来对多个存储单元之中的读取第一数据的存储单元执行写入操作。根据本专利技术的另一实施例，一种用于刷新存储单元的方法包括：从多个存储单元中读取数据；检测读取数据的错误数据并将其校正成错误校正过的数据；决定对多个存储单元之中的读取第一数据的存储单元执行写入操作以及决定对多个存储单元之中的检测到错误数据的存储单元执行写入操作；以及对决定执行写入操作的存储单元执行写入操作。在对决定执行写入操作的存储单元执行写入操作中，校正过的数据写入至读取错误位的存储单元中，而第一数据写入至除读取错误位的存储单元之外的存储单元中。每个存储单元可以包括电阻式存储元件和选择元件。电阻式存储器件可以是相变存储元件。选择元件可以是双向阈值开关(OTS)。第一数据可以是设置数据。根据本专利技术的又一实施例，一种存储系统包括：电阻式存储器件；以及存储器控制器，适用于控制电阻式存储器件，其中，在电阻式存储器件的刷新操作期间，存储器控制器从多个存储单元中读取数据以及用第一数据来对多个存储单元之中的读取第一数据的存储单元执行写入操作。在写入操作期间，存储器控制器可以传送从存储单元中读取的数据，以及掩蔽(mask)读取第二数据的存储单元。每个存储单元可以包括电阻式存储元件和选择元件。电阻式存储器件可以是相变存储器件，而选择元件可以是双向阈值开关(OTS)器件。第一数据可以是设置数据，而第二数据可以是复位数据。根据本专利技术的又一实施例，一种存储系统包括：电阻式存储器件；以及存储器控制器，适用于控制电阻式存储器件，其中，在电阻式存储器件的刷新操作期间，存储器控制器从多个存储单元中读取数据，检测读取数据的错误数据并将其校正成错误校正过的数据，对读取了第一数据的存储单元和读取了错误数据的存储单元执行写入操作。在写入操作期间，错误校正过的数据可以写入至读取了错误数据的存储单元中，而第一数据可以写入至除读取了错误位的存储单元之外的存储单元中。存储器控制器可以通过将错误校正过的读取数据写入至多个存储单元中同时掩蔽多个存储单元之中的储存除第一数据和错误数据之外的数据的存储单元来用第一数据和错误校正过的数据执行写入操作。每个存储单元可以包括电阻式存储元件和选择元件。电阻式存储器件可以是相变存储器件，而选择元件可以是双向阈值开关(OTS)。数据可以是设置数据。附图说明图1图示了存储器件的存储单元。图2是图示图1的存储单元的电流-电压(I-V)曲线的曲线图。图3A和图3B是图示存储器件的存储单元的阈值电压分布的曲线图。图4是图示根据本专利技术的一个实施例的用于刷新存储单元的方法的流程图。图5是图示根据本专利技术的另一实施例的用于刷新存储单元的方法的流程图。图6是图示根据本专利技术的一个实施例的存储系统的框图。具体实施方式下面将参照附图来更详细地描述本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可以以不同的形式来实施，而不应当被解释成局限于本文中阐述的实施例。相反地，这些实施例被提供使得此公开将是彻底且完整的，且这些实施例将本专利技术的范围充分地传达给本领域技术人员。贯穿本公开，相同的附图标记在本专利技术的各种附图和实施例中始终指代相同的部件。要注意的是，附图是简化的示意图，因而不一定按比例绘制。在一些情况下，为了更清楚地图示所示实施例的特定特征，可能已经放大了附图的各个部件。还要注意的是，在下面的描述中，阐述了具体细节以便于对本专利技术的理解。然而，可以在无这些具体细节中的一些的情况下实施本专利技术。此外，要注意的是，公知结构和/或工艺可以仅简要描述或者根本未描述，以免用不必要的公知细节混淆本公开。还要注意的是，在一些情况下，对于相关领域技术人员明显的是，除非另外具体指出，否则关于一个实施例而描述的元件(也称作特征)可以单独使用，或者与其他实施例的其他元件结合使用。图1图示了电阻式存储器件的存储单元100。图2是示出存储单元100的电流-电压(I-V)曲线的曲线图。参考图1，存储单元100可以包括电阻式存储器件M和选择器件S。电阻式存储器件M可以根据储存的数据而处于低电阻态(“设置”态)和高电阻态(“复位”态)中的一个状态。在电阻式存储器件M是相变(PC)存储器件的情况下，其晶态可以表示低电阻态，而其非晶态可以表示高电阻态。选择器件S在其被关断时具有微量的电流流过。当流经存储单元的电流量等于或高于阈值Ith时，选择器件S被导通以至于具有更加多的电流流过其中。在选择器件S被导通之后，在存储单元100中可以出现转折(snapback)现象，其中存储单元100的端口处的电压电平急剧减小。选择器件S可以为双向阈值开关(OTS)。图2示出了流经存储单元100的电流作为施加给存储单元100的端口的电压的函数。无论存储单元100处于高电阻态(即，图2中的“复位”态)还是低电阻态(即，图2中的“设置”态)，流经存储单元100的电流量都随施加给存储单元100的两个端口的电压的电平增加而增加。在同一电压电平处，流经处于低电阻态(SET)的存储单元100的电流可以比流经处于高电阻态(RESET)的存储单元100的电流多。当处于低电阻态(SET)的存储单元100的端口处的电压电平达到低电阻态(SET)的阈值SET_Vth以及因此流经处于低电阻态(SET)的存储单元100的电流量达到阈值Ith时，处于低电阻态(SET)的存储单元100的选择器件S被导通。处于低电阻态(SET)的存储单元100的所导通的选择器件S降低存储单元100的端口处的电压电平，且导致流经存储单元100的电流量急剧增加，这称作转折现象。当处于高电阻态(RESET)的存储单元100的端口处的电压电平达到高电阻态(RESET)的阈值RESET_Vth以及因此流经处于高电阻态(RESET)的存储单元100的电流量达到阈值Ith时，处于高电阻态(RESE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于刷新存储单元的方法，包括：从多个存储单元中读取数据；以及用第一数据来对所述多个存储单元之中的读取第一数据的存储单元执行写入操作。

【技术特征摘要】
2016.11.09 KR 10-2016-01488231.一种用于刷新存储单元的方法，包括：从多个存储单元中读取数据；以及用第一数据来对所述多个存储单元之中的读取第一数据的存储单元执行写入操作。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括：电阻式存储元件；以及选择元件。3.如权利要求2所述的方法，其中，电阻式存储元件是相变存储元件。4.如权利要求3所述的方法，其中，选择元件是双向阈值开关OTS。5.一种用于刷新存储单元的方法，包括：从多个存储单元中读取数据；检测读取数据的错误数据并将其校正成错误校正过的数据；决定对所述多个存储单元之中的读取第一数据的存储单元执行写入操作，以及决定对所述多个存储单元之中的检测到错误数据的存储单元执行写入操作；以及对决定执行写入操作的存储单元执行写入操作。6.如权利要求5所述的方法，其中，在对决定执行写入操作的存储单元执行写入操作中，校正过的数据写入至读取错误位的存储单元中，而第一数据写入至除读取错误位的存储单元之外的存储单元中。7.如权利要求5所述的方法，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括：电阻式存储元件；以及选择元件。8.如权利要求7所述的方法，其中，电阻式存储元件是相变存储元件。9.如权利要求8所述的方法，其中，选择器件是双向阈值开关OTS。10.一种存储系统，包括：电阻式存储器件；以及存储器控制器，适用于控制电阻式存储器件，其中，在电阻式存储器件的刷新操作期间，存储器控制器从多个存储单元中读取数据以及用第一数...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪道善，金龙珠，金东建，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR