阻变存储装置制造方法及图纸

本技术的阻变存储装置包括被划分为多个分区的存储电路以及包括多个电源电路和输出电路的输入/输出(I/O)电路。多个电源电路被配置成与多个分区一一对应。

Resistive storage device

The resistive variable storage device of the technology includes a storage circuit divided into several partitions, and an input / output (I/O) circuit including a plurality of power circuits and an output circuit. A plurality of power circuits are configured to correspond to multiple partitions one by one.

【技术实现步骤摘要】
阻变存储装置相关申请的交叉引用本申请要求2016年11月1日在韩国知识产局提交的申请号为10-2016-0144595的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。
各种实施例总体而言可以涉及一种半导体集成装置，更具体地，涉及一种阻变存储装置。
技术介绍
阻变存储装置可以是其中数据储存材料层被布置在一对电极之间并且通过施加的电流或电压改变数据储存材料层的电阻状态来编程数据的存储装置。阻变存储装置已经越来越高度集成，并且存储装置的操作所需的电流消耗量也已增加。被配置为操作阻变存储装置的读取/写入电路可以设置在存储区域的一侧。耦接读取/写入电路和存储区域的接线的长度可以根据存储区域中存储单元的位置来改变。接线上的寄生电容、接线电阻等可以用作改变存储单元的操作特性的要素。
技术实现思路
在本公开的一个实施例中，阻变存储装置可以包括：存储电路，其被划分为多个分区；以及输入/输出(I/O)电路，其包括多个电源电路和输出电路。多个电源电路可以被配置成与多个分区一一对应。在本公开的另一个实施例中，阻变存储装置可以包括：存储电路，其被划分为多个分区；多个电源电路，每个电源电路被布置为紧挨多个分区的至少本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻变存储装置，包括：存储电路，其被划分为多个分区；以及输入/输出I/O电路，其包括多个电源电路和输出电路，其中，多个电源电路被配置成与多个分区一一对应。

【技术特征摘要】
2016.11.01 KR 10-2016-01445951.一种阻变存储装置，包括：存储电路，其被划分为多个分区；以及输入/输出I/O电路，其包括多个电源电路和输出电路，其中，多个电源电路被配置成与多个分区一一对应。2.如权利要求1所述的阻变存储装置，其中，多个分区中的每个分区包括耦接在至少一个字线与至少一个位线之间的多个阻变存储单元，以及多个电源电路中的每个电源电路被配置为将电源电压供给到位线。3.如权利要求2所述的阻变存储装置，其中，每个阻变存储单元包括将1比特位数据储存在单个存储单元中的单电平单元或将2比特位数据或更多比特位数据储存在单个存储单元中的多电平单元。4.如权利要求1所述的阻变存储装置，其中，多个分区中的每个分区包括耦接在至少一个字线与至少一个位线之间的多个阻变存储单元，以及多个电源电路中的每个电源电路被配置为将读取电压、第一写入电压以及第二写入电压供给到与电源电路相对应的分区的位线。5.如权利要求4所述的阻变存储装置，其中，存储单元包括使用硫族化物合金的相变随机存取存储单元、使用隧穿磁阻效应的磁性随机存取存储器RAM单元、使用过渡金属氧化物的阻变RAM单元、聚合物RAM单元、使用钙钛矿的RAM单元以及使用铁电式电容器的铁电式RAM单元中的至少一种。6.如权利要求1所述的阻变存储装置，其中，多个电源电路的输出端子共...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋清基，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR