发光二极管结构制造技术

本发明专利技术提供一种发光二极管结构，包括一永久基板、一第一图案化金属层、一第二图案化金属层以及一半导体磊晶层。永久基板具有一接合面。第一图案化金属层配置在永久基板的接合面上且暴露出部分接合面。第二图案化金属层对应配置在第一图案化金属层上。第二图案化金属层暴露出第一图案化金属层所暴露出的接合面。第二图案化金属层与第一图案化金属层的接触面形成共晶结合。半导体磊晶层配置在第二图案化金属层上。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管结构本专利技术是2013年4月27日所提出的申请号为201310151756.1、专利技术名称为《发光二极管结构》的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术是有关于一种半导体结构，且特别是有关于一种发光二极管结构。
技术介绍
一般来说，发光二极管结构的制作，首先，在成长基板上已依序形成有第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层。接着，再将永久基板接合至第二型半导体层上，其中接合永久基板与第二型半导体层最常用的方法为氧化物接合法(oxidebonding)以及整面性的金属共晶接合法(metaleutecticbonding)。氧化物接合法是通过透光的氧化物粘着层来进行永久基板与第二型半导体层的接合，故其所形成的发光二极管结构可具有较佳的出光效率。然而，相较于通过金属键结的金属共晶接合法的接合强度而言，氧化物接合法的接合强度较弱。若采用接合强度较佳的金属共晶接合法，则因为是通过配置整面性的金属层在永久基板与第二型半导体层之间，而会降低整体发光二极管结构的出光效率。因此，如何能使发光二极管结构具有较佳的界面接合可靠度以及具有较佳的出光效率便成为了目前急需解决的问题之一。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管结构，其特征在于，包括：一基板，具有一接合面；一第一图案化金属层，包括一第一金属块阵列，配置在该基板的该接合面上，其中该第一图案化金属层暴露出部分该接合面；一半导体磊晶层，包括一第一型半导体层、一第二型半导体层及一发光层，该发光层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；以及一第二图案化金属层，包括一第二金属块阵列，配置在该第二型半导体层上，并暴露出部分该第二型半导体层，其中该第二金属块阵列对应设置在该第一金属块阵列上，且该第二金属块阵列与该第一金属块阵列的接触面形成共晶结合。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：一基板，具有一接合面；一第一图案化金属层，包括一第一金属块阵列，配置在该基板的该接合面上，其中该第一图案化金属层暴露出部分该接合面；一半导体磊晶层，包括一第一型半导体层、一第二型半导体层及一发光层，该发光层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；以及一第二图案化金属层，包括一第二金属块阵列，配置在该第二型半导体层上，并暴露出部分该第二型半导体层，其中该第二金属块阵列对应设置在该第一金属块阵列上，且该第二金属块阵列与该第一金属块阵列的接触面形成共晶结合。2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：一透光材料层，填充在该第一金属块阵列之间的间隙与该第二金属块阵列之间的间隙，且至少覆盖部分该第一金属块阵列所暴露出的该接合面及部分该第二金属块阵列所暴露出的该第二型半导体层。3.根据权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，该透光材料层的材质是选自于苯并环丁烯、环氧树脂、氧化铝、氧化硅、氮化硅、其他有机黏结材料与上述的组合所构成的族群。4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该第一图案化金属层与该第二图案化金属层的材质是各选自于金、锡、铜、铟与上述材料的合金所构成的族群。5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该第一金属块阵列与该第二金属块阵列实质上重合。6.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：一基板，具有一接合面；一第一图案化金属层，包括一第一金属块阵列，配置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄冠杰，庄东霖，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71