快恢复二极管及其制作方法技术
【技术实现步骤摘要】
快恢复二极管及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件制造
，特别地，涉及一种快恢复二极管及其制作方法。
技术介绍
现代电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管，还是采用有自关断能力的新型电力电子器件，如GTO，MOSFET，IGBT等，都需要一个与之并联的功率快恢复二极管，以通过负载中的无功电流，减小主开关器件电容的充电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向时由寄生电感感应产生的高电压。近几年来，随着功率半导体器件制造技术的不断进步，电力电子电路中的主开关器件－VDMOS、IGBT等新型功率半导体器件的设计与制造取得了巨大的进步，频率性能不断提高，这对与之配套使用的功率快恢复二极管提出了更高的要求。所以，该二极管必须具有短的反向恢复时间和极佳的综合性能。具有P-i-N结构的快恢复二极管以高耐压和高开关速度成为高压领域应用的首选器件。为使二极管的反向恢复速度加快，降低漂移区的少数载流子寿命是必须的。目前常用的方法是扩金、扩铂或电子辐照三种方法，在二级管的漂移区内形成缺陷，进而降低漂移区的少子寿命。由于是通过形成缺陷减少少子寿命，缺陷同时也会使器件正向压...
【技术保护点】
一种快恢复二极管，其特征在于：所述快恢复二极管包括N型外延层、形成于所述N型外延层的第一表面的快恢复二极管正面结构、形成于所述N型外延层远离所述快恢复二极管的正面结构的第二表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽表面的铂材料层、以及形成于所述N型外延层表面与所述铂材料层表面的金属层，所述金属层作为背面电极。
【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管，其特征在于：所述快恢复二极管包括N型外延层、形成于所述N型外延层的第一表面的快恢复二极管正面结构、形成于所述N型外延层远离所述快恢复二极管的正面结构的第二表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽表面的铂材料层、以及形成于所述N型外延层表面与所述铂材料层表面的金属层，所述金属层作为背面电极。2.如权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于：所述第一沟槽远离所述快恢复二极管正面结构的部分的沟槽宽度大于邻近所述快恢复二极管正面结构的部分的第一沟槽宽度。3.如权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于：所述第二沟槽远离所述快恢复二极管正面结构的部分的沟槽宽度大于邻近所述快恢复二极管正面结构的部分的第二沟槽宽度。4.如权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于：所述第一沟槽中的铂材料层与所述第二沟槽中的铂材料层连接于一体。5.如权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于：所述第一沟槽与所述第二沟槽轴对称设置。6.一种快恢复二极管的制作方法，其包括如下步骤：提供N型衬底，在所述N型衬底上形成N型外延层，在所述N型外延层远离所述N型衬底的表面形成快恢复二极管正面结构；进行背面减薄处理去除所述N型衬底，在所述N型外延层远离所述快恢复二极管正面结构的表面形成第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层表面形成光刻胶，形成贯穿所述光刻胶的第一开口与第二开口；使用光刻胶作为掩膜，蚀刻所述第一氧化硅层以形成贯穿所述第一氧化硅层且对应所述第一开...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市晶特智造科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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