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本发明提供一种快恢复二极管及其制造方法。所述快恢复二极管包括N型外延层、形成于所述N型外延层的第一表面的快恢复二极管正面结构、形成于所述N型外延层远离所述快恢复二极管的正面结构的第二表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽...
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