GaN半导体器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种GaN半导体器件，包括：基板；设置于所述基板上的氮化铝晶种层；设置于所述氮化铝晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的所述氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1‑xN层；设置于所述AlxGa1‑xN层上的氮化铝层；设置于所述氮化铝层上的p‑GaN层。上述GaN半导体器件的结构，在生长出2DEG用AlGAN薄膜后，于p‑GaN layer蒸镀前插入氮化铝层的结构，即，p‑GaN/AlN/AlGaN复合膜或p‑GaN/AlGaN/AlN/AlGaN复合膜，去除在后续工艺中为栅极蚀刻时剩下的P类氮化镓层，改善p‑GaNHEMT器件特性的散布。

【技术实现步骤摘要】
GaN半导体器件
本技术涉及半导体
，特别是涉及一种GaN半导体器件。
技术介绍
电力半导体市场占有整个半导体市场的10％的庞大市场，但之前的电力半导体市场以利用硅的功率器件为主。在过去20年，每隔10年间，硅功率器件提高5～6倍的电力密度，很难期待性能上更进一步的提高。与硅和砷化镓相比，氮化镓具有带隙宽(Eg＝3.4eV)，在高温下稳定(700℃)等特征。相比硅电力半导体，氮化镓电力半导体具有低温抵抗特性，不仅可以减少随着电力半导体而引起的-电闸的损失，还也可以做到系统消费电力最少化等优点。依靠氮化镓半导体器件小型化，高电压，高速电闸，可以实现低损失，高效率的下一代电力器件，可以满足产业用，电力网，信息通信部门的需求。但是，因为氮化镓电力半导体有着常关问题，期间不能单独使用氮化镓电力半导体，要与硅功率器件一同使用。如此，使用与常开动作有着同样功能的正极结构。常开氮化镓半导体正在开发中，其中氮化镓磊晶层结构包含的氮化镓高电子迁移率晶体管的活用度也逐步提高。为体现利用氮化镓电力器件中的崩溃电压，并且为生长出高品质的氮化镓层；在硅基板上生长出，如，氮化铝等籽晶层后，改善缓冲层的品质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN半导体器件，其特征在于，包括：基板；设置于所述基板上的晶种层；设置于所述晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1‑xN层；设置于所述AlxGa1‑xN层上的氮化铝层；设置于所述氮化铝层上的p‑GaN层。

【技术特征摘要】
1.一种GaN半导体器件，其特征在于，包括：基板；设置于所述基板上的晶种层；设置于所述晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的氮化镓层；设置于所述氮化镓层上的AlxGa1-xN层；设置于所述AlxGa1-xN层上的氮化铝层；设置于所述氮化铝层上的p-GaN层。2.根据权利要求1所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述p-GaN层、所述氮化铝层以及所述AlxGa1-xN层中Al的含量依次递增。3.根据权利要求1所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述氮化铝层与所述p-GaN层之间还设有氮化铝镓层。4.根据权利要求3所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述p-GaN层、所述氮化铝层、所述氮化铝镓层以及所述AlxGa1-xN层中Al的含量依次递增。5.根据权利要求4所述的GaN半导体器件，其特征在于，所述氮化铝镓层的厚度为3...

【专利技术属性】
技术研发人员：金荣善，金峻渊，李尚俊，骆薇薇，孙在亨，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44