一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层制造技术

本发明专利技术公开了一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，该耐压层在半导体器件的半导体衬底或埋氧层的上表面外延形成，及所述耐压层具有三维横向变掺杂并且在以P

【技术实现步骤摘要】
一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层
本专利技术涉及一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，属于半导体功率器件的

技术介绍
众所周知，击穿电压是横向功率器件优化设计的一个关键指标。而为了得到最大的击穿电压，通常人们希望器件的表面电场是完全均匀的。基于这一思想，横向变掺杂(VariationofLateralDoping,VLD)技术被提出并被广泛应用于各种功率器件的优化设计中。传统的横向变掺杂技术是基于二维理论，并被应用于各种二维功率器件的优化设计中。SOI横向功率器件的基本结构是RESURF(ReducedSurfaceField)结构，图1给出了一个典型的常规SOIRESURFLDMOS的结构示意图，它是由半导体衬底1，埋氧层3，作为漂移区的半导体区域2、半导体漏区4、半导体体区5，其中半导体体区5中具有半导体源区6和半导体体接触区7，栅氧化层10，栅极9，源极金属8，漏极金属12，金属前绝缘介质层11组成。然而，在实际制造中，横向功率器件常常被制造在叉指状版图、跑道形版图或圆形版图中。图2给出了一个叉指状版图的LDMOS的结构示意图，它是由半导体衬底1，埋氧层2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，其特征在于，该耐压层在半导体器件的半导体衬底或埋氧层的上表面外延形成，及所述耐压层具有三维横向变掺杂并且在以P型或N型重掺杂区域为中心的结构中掺杂浓度为非线性分布。

【技术特征摘要】
1.一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，其特征在于，该耐压层在半导体器件的半导体衬底或埋氧层的上表面外延形成，及所述耐压层具有三维横向变掺杂并且在以P型或N型重掺杂区域为中心的结构中掺杂浓度为非线性分布。2.根据权利要求1所述具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，其特征在于：所述耐压层以P型重掺杂区域为中心的结构中，掺杂浓度采用公式计算：其中，N(r)为半导体器件耐压层掺杂浓度，r为以半导体器件耐压层曲率内侧为起点的坐标；t＝(0.5ts2+tstoxεs/εox)0.5为特征厚度，εs为硅的介电常数，εox为半导体器件埋氧层的介电常数，q为电荷量，ts为半导体器件耐压层的厚度，tox为半导体器件埋氧层的厚度，Ec为半导体临界电场，rin为半导体器件耐压层内侧的曲率半径。3.根据权利要求1所述具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，其特征在于：所述耐压层以N型重掺杂区域为中心...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭宇锋，杨可萌，张珺，李曼，姚佳飞，张瑛，吉新村，蔡志匡，
申请(专利权)人：南京邮电大学，南京邮电大学南通研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32