柔性阵列基板及制备方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了柔性阵列基板及其制备方法和显示装置。柔性阵列基板包括：第一柔性基板，第一柔性基板具有第一表面；薄膜晶体管，薄膜晶体管位于第一表面上；遮光层，遮光层位于第一柔性基板与薄膜晶体管之间，其中，遮光层在第一柔性基板上的正投影覆盖薄膜晶体管的沟道区在第一柔性基板上的正投影。由此，可以解决高温下由于刚性基板软化使遮光层被污染、融化或脱落，而造成产品被废弃的技术问题，提高产品良率和量率。

【技术实现步骤摘要】
柔性阵列基板及制备方法和显示装置
本专利技术涉及技术显示领域，特别的，涉及柔性阵列基板及制备方法和显示装置。
技术介绍
柔性有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)凭据高画质、移动图像响应时间短、低功耗、宽视角及超轻薄等优点，成为了未来显示技术的最好选择。然而，在制备AMOLED产品，利用激光工艺剥离柔性AMOLED基板(LLO)时，参照图1，为防止出现因低灰阶显示和亮度不均匀而导致各种痕迹的现象(Mura)，或LLO激光不稳而直接导致沟道出现线性Mura，以及整体不均匀Mura，会在衬底基板上设置一层遮光层LS，用于防止LLO激光对沟道的影响，改善显示效果。但目前该技术仍存在许多其他问题。
技术实现思路
在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种柔性阵列基板。根据本专利技术的实施例，所述柔性阵列基板包括：第一柔性基板，所述第一柔性基板具有第一表面；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一表面上；遮光层；所述遮光层位于所述第一柔性基板与所述薄膜晶体管之间；其中，所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述第一柔性基板上的正投影。根据本专利技术的实施例，所述遮本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性阵列基板，其特征在于，包括：第一柔性基板，所述第一柔性基板具有第一表面；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一表面；遮光层，所述遮光层位于所述第一柔性基板与所述薄膜晶体管之间；其中，所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述第一柔性基板上的正投影。

【技术特征摘要】
1.一种柔性阵列基板，其特征在于，包括：第一柔性基板，所述第一柔性基板具有第一表面；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管位于所述第一表面；遮光层，所述遮光层位于所述第一柔性基板与所述薄膜晶体管之间；其中，所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区在所述第一柔性基板上的正投影。2.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述遮光层在所述第一柔性基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的有源层在所述第一柔性基板上的正投影。3.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，包括：缓冲层，所述缓冲层位于所述遮光层与所述薄膜晶体管之间。4.根据权利要求3所述的柔性阵列基板，其特征在于，包括第一阻隔层，所述第一阻隔层位于所述遮光层与所述缓冲层之间，或者所述第一柔性基板与所述遮光层之间。5.根据权利要求4所述的柔性阵列基板，其特征在于，包括：第二柔性基板，所述第二柔性基板位于所述第一阻隔层面向所述薄膜晶体管的一侧；第二阻隔层，所述第二阻隔层位于所述第二柔性基板面向所述薄膜晶体管的一侧。6.根据权利要求5所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间，和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间，和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间。7.根据权利要求5所述的柔性阵列基板，其特征在于，所述第一阻隔层包括：第一子阻隔层，所述第一子阻隔层位于所述第一柔性基板面向所述薄膜晶体管的一侧；第二子阻隔层，所述第二子阻隔层位于所述第一子阻隔层面向所述薄膜晶体管的一侧，其中，所述遮光层位于所述第一柔性基板和所述第一阻隔层之间，和/或所述第一阻隔层和所述第二柔性基板之间，和/或所述第二柔性基板和所述第二阻隔层之间，和/或所述第一子阻隔层和所述第二子阻隔层之间。8.根据权利要求1所述的柔性阵列基板，其特征在于，形成所述遮光层的材料为钼。9.一种显示装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：田雪雁，史世明，秦双亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11