像素结构、半导体结构的制造方法及半导体元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种像素结构、半导体结构的制造方法及半导体元件的制造方法。半导体结构的制造方法包括以下步骤。形成一氧化物半导体材料层，氧化物半导体材料层包括一主体部以及一辅助部，辅助部与主体部连接。形成一第一绝缘材料层于氧化物半导体材料层上。去除部分第一绝缘材料层及辅助部，以形成一第一绝缘层及一有源层，其中被去除的部分第一绝缘材料层至少与辅助部重叠。

【技术实现步骤摘要】
像素结构、半导体结构的制造方法及半导体元件的制造方法
本专利技术涉及一种像素结构、半导体结构的制造方法及半导体元件的制造方法，且特别涉及一种使用氧化物半导体的像素结构、半导体结构的制造方法及半导体元件的制造方法。
技术介绍
近年来，利用氧化物半导体薄膜来制造薄膜晶体管(TFT)的技术备受瞩目，在制造上常使用等离子体工艺(例如PECVD)来形成薄膜晶体管的保护层。然而，以等离子体工艺形成的保护层常富含氢离子，一旦过多的氢离子扩散到氧化物半导体薄膜内，将导致薄膜晶体管的栅极电压往负值方向偏移，而降低薄膜晶体管的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的之一是避免过多的氢离子进一步扩散至沟道区内。根据本专利技术的一方面，提出一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。形成一氧化物半导体材料层，氧化物半导体材料层包括一主体部以及一辅助部，辅助部与主体部连接。形成一第一绝缘材料层于氧化物半导体材料层上。去除部分第一绝缘材料层及辅助部，以形成一第一绝缘层及一有源层，其中被去除的部分第一绝缘材料层至少与辅助部重叠。根据本专利技术的一方面，提出一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤。形成一氧化物半导体材料层，氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构的制造方法，包括：形成一氧化物半导体材料层，该氧化物半导体材料层包括：一主体部；以及一辅助部，与该主体部连接；形成一第一绝缘材料层于该氧化物半导体材料层上；以及去除部分该第一绝缘材料层及该辅助部，以形成一第一绝缘层及一有源层，其中被去除的部分该第一绝缘材料层至少与该辅助部重叠。

【技术特征摘要】
2017.11.13 TW 1061391171.一种半导体结构的制造方法，包括：形成一氧化物半导体材料层，该氧化物半导体材料层包括：一主体部；以及一辅助部，与该主体部连接；形成一第一绝缘材料层于该氧化物半导体材料层上；以及去除部分该第一绝缘材料层及该辅助部，以形成一第一绝缘层及一有源层，其中被去除的部分该第一绝缘材料层至少与该辅助部重叠。2.如权利要求1所述的制造方法，其中该第一绝缘层的氢浓度低于该第一绝缘材料层的氢浓度。3.如权利要求1所述的制造方法，其中该氧化物半导体材料层包含选自于由氧化铟锌、氧化铟锡锌、氧化铟镓、氧化铟镓锌、氧化铟钨、氧化锌、氧化锡、氧化镓锌、氧化锌锡及氧化铟锡所组成的群组中的至少一者。4.一种半导体元件的制造方法，包括：形成一氧化物半导体材料层，该氧化物半导体材料层包括：一主体部；以及一辅助部，与该主体部连接；形成一栅极与该主体部重叠；形成一第一绝缘材料层于该氧化物半导体材料层上；去除部分该第一绝缘材料层及该辅助部，以形成一第一绝缘层及一有源层，其中被去除的部分该第一绝缘材料层至少与该辅助部重叠；以及形成一源极及一漏极于该第一绝缘层上，并分别电性连接该有源层的一源极区及一漏极区。5.如权利要求4所述的制造方法，其中该第一绝缘层的氢浓度低于该第一绝缘材料层的氢浓度。6.如权利要求4所述的制造方法，还包括：形成一第二绝缘层于该第一绝缘层上，其中该源极及该漏极形成于该第二绝缘层上。7.如权利要求6所述的制造方法，其中该第二绝缘层的氢浓度低于该第一绝缘层的氢浓度。8.如权利要求4所述的制造方法，其中该氧化物半导体材料层包含选自于由氧化铟锌、氧化铟锡锌、氧化铟镓、氧化铟镓锌、氧化铟钨、氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄震铄，范扬顺，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71