制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法技术

本申请公开了一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法，包括在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层，其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料；其中，形成所述顶栅电极的操作包括在所述顶栅介质层上形成光刻胶层，从顶栅介质层向衬底的方向曝光,其中与所述底栅电极对应的光刻胶层的厚度小于其他位置的光刻胶层厚度；基于光刻胶层厚度的差异通过曝光去除与所述底栅电极对应的光刻胶层并裸露出部分顶栅介质层，但在其他位置的顶栅介质层上仍留有光刻胶层；在所述顶栅介质层裸露出来的部分上形成与所述底栅电极的位置对应的顶栅电极。

【技术实现步骤摘要】
制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法
本申请涉及一种薄膜晶体管的制备方法，特别是关于一种双栅氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法。
技术介绍
显示技术和产业是当今信息技术和产业的最具发展潜力的领域之一。显示技术的核心是薄膜晶体管(TFT)技术，任何有源矩阵寻址方式的平板显示如液晶显示(LiquidCrystalDisplay，LCD)、有机发光二极管显示(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)都依赖于TFT的控制和驱动。近年来，人们对各类高性能便携式产品、以及大尺寸高清显示产品的需求越来越大，进而使得平板显示对TFT的要求也越来越高。当前主流的非晶硅(a-Si)TFT技术受限于其较低的载流子迁移率，已经不能满足下一代平板显示的要求。在这样的背景下，亟需不断发展新一代的TFT技术。目前被认为可以满足下一代平板显示的TFT技术主要是基于低温多晶硅(Lowtemperaturepoly-Si,LTPS)TFT的显示技术和以铟镓锌氧(InGaZnO,IGZO)TFT为代表的氧化物半导体TFT显示技术。但是，主流的LTPSTFT技术存在着大面积均匀性较差的问题，所以其当前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法，包括在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层，其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料；其中，形成所述顶栅电极的操作包括在所述顶栅介质层上形成光刻胶层，从顶栅介质层向衬底的方向曝光,其中与所述底栅电极对应的光刻胶层的厚度小于其他位置的光刻胶层厚度；基于光刻胶层厚度的差异通过曝光去除与所述底栅电极对应的光刻胶层并裸露出部分顶栅介质层，但在其他位置的顶栅介质层上仍留有光刻胶层；在所述顶栅介质层裸露出来的部分上形成与所述底栅电极的位置对应的顶栅电极。

【技术特征摘要】
1.一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法，包括在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层，其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料；其中，形成所述顶栅电极的操作包括在所述顶栅介质层上形成光刻胶层，从顶栅介质层向衬底的方向曝光,其中与所述底栅电极对应的光刻胶层的厚度小于其他位置的光刻胶层厚度；基于光刻胶层厚度的差异通过曝光去除与所述底栅电极对应的光刻胶层并裸露出部分顶栅介质层，但在其他位置的顶栅介质层上仍留有光刻胶层；在所述顶栅介质层裸露出来的部分上形成与所述底栅电极的位置对应的顶栅电极。2.如权利要求1所述的方法，其中所述底栅电极包括反光材料，所述底栅电极对曝光光线的反射使得与所述底栅电极对应的光刻胶层经历再次曝光。3.如权利要求1所述的方法，其中所述光刻胶层是正性光刻胶，与所述底栅电极对应的光刻胶层厚度为3000至其余位置的光刻胶层厚度为曝光能量范围在1.3W/cm2至3.5W/cm2。4.如权利要求2所述的方法，其中所述光刻胶层是正性光刻胶，与所述底栅电极对应的光刻胶层厚度为1μm至1.2μm，其他位置的光刻胶层厚度为1.2μm至1.4μm，进行曝光的光源波长为370nm至450nm；曝光能量范围在4W/cm2至10W/cm2。5.如权利要求2所述的方法，其中所述底栅电...

【专利技术属性】
技术研发人员：张盛东，周晓梁，卢红娟，梁婷，张晓东，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东,44