低温薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种低温薄膜晶体管的制备方法，无需退火就能够制备出面积大而均匀、并且性能优良的薄膜晶体管，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.将沉积有导电薄膜的衬底放入ALD反应室中，然后进行抽真空及升温处理；步骤2.于室温～120℃下，生长k值为7～170的高k材料作为栅绝缘层，栅绝缘层的厚度为15～150nm；步骤3.于室温～120℃下，直接原位生长ZnO沟道层，沟道层的厚度为10～50nm；步骤4.将步骤3所得的器件，进行紫外曝光，刻蚀沟道后进行二次光刻，蒸镀源漏电极，无需退火处理，制得底栅型低温薄膜晶体管。

Preparation of low temperature thin film transistors

The present invention provides a method for preparing low temperature thin film transistor, it can be prepared by a large area and uniform, and the excellent performance of the thin film transistor without annealing, characterized by comprising the following steps: step 1. substrate with a conductive film deposited into the ALD reaction chamber, and then vacuum and heating treatment step 2.; from room temperature to 120 DEG C, the growth of K value is 7~170 for the high k material as the gate insulating layer, a gate insulating layer thickness of 15 ~ 150nm; 3. steps from room temperature to 120 DEG C, direct in situ growth of ZnO channel layer, channel layer thickness of 10 ~ 50nm device; step 4. will be obtained in step 3, UV exposure, etching channel after two photolithography, deposition source drain electrode, without annealing treatment, prepared bottom gate type thin film transistor at low temperature.

【技术实现步骤摘要】
低温薄膜晶体管的制备方法
本专利技术涉及一种低温薄膜晶体管的制备方法。技术背景近年来，透明显示技术快速发展，从液晶显示(LiquidCrystalDisplay，LCD)到有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)，量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodes，QLED)再到现在处于刚起步的MicroLED。无论哪种显示技术，都离不开薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)作为驱动。另外，OLED和MicroLED都属于电流驱动型器件，这就要求TFT能提供比较大的驱动电流；而且，该驱动电流直接决定了显示屏的亮度，从而要求TFT背板具有优异的均匀性和稳定性。但是，传统的非晶硅(AmorphousSilicon，a-Si)TFT器件的迁移率低，沟道需要制作遮光层，稳定性差，无法满足驱动OLED和MicroLED的要求。而低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon,LTPS)TFT虽然具有较高的迁移率和较好的稳定性，但无法制备大面积LTPS,且器件的均匀性较差，制备工艺复杂、成本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.将沉积有导电薄膜的衬底放入ALD反应室中，然后进行抽真空及升温处理；步骤2.于室温～120℃下，生长k值为7～170的高k材料作为栅绝缘层，栅绝缘层的厚度为15～150nm；步骤3.于室温～120℃下，直接原位生长ZnO沟道层，沟道层的厚度为10～50nm；步骤4.对步骤3所得的器件，进行紫外曝光，刻蚀沟道后进行二次光刻，蒸镀源漏电极，无需退火处理，制得底栅型低温薄膜晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种低温薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.将沉积有导电薄膜的衬底放入ALD反应室中，然后进行抽真空及升温处理；步骤2.于室温～120℃下，生长k值为7～170的高k材料作为栅绝缘层，栅绝缘层的厚度为15～150nm；步骤3.于室温～120℃下，直接原位生长ZnO沟道层，沟道层的厚度为10～50nm；步骤4.对步骤3所得的器件，进行紫外曝光，刻蚀沟道后进行二次光刻，蒸镀源漏电极，无需退火处理，制得底栅型低温薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的低温薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：其中，在步骤1中，导电薄膜是AZO、ITO中的任意一种。3.根据权利要求1所述的低温薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：其中，在步骤2中，高k材料为Al2O3、Y2O3、ZrO2、TiO2、Ta2O5、La2O3、HfO2、TiO2中的任意一种或至少两种的混合物。4.根据权利要求1所述的低温薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：其中，在步骤2和3中，生长温度均为100℃。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昊，陈雪，张国祯，刘昌，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42