薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及显示装置，该薄膜晶体管的制备方法包括在衬底基板上通过构图工艺形成遮光层图案和有源层图案，其中，有源层图案位于遮光层图案背离衬底基板的一侧，遮光层图案的材料为树脂；在有源层图案上形成栅绝缘层，栅极图案，层间绝缘层和源漏电极。该方式不仅减少了工艺步骤，节省了成本，而且减少了遮光层图案与源漏电极之间的电容和感应电荷，从而提高了使用该方法制成的阵列基板的薄膜晶体管的稳定性和偏压信赖性。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管及阵列基板及制备方法、显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)的结构主要包括顶栅结构和底栅结构。对于顶栅结构的TFT液晶显示器阵列基板，在半导体层的下方形成有作为半导体层的光学保护层的遮光层图形，以防止因背光源发出的光照射到半导体层、产生光生载流子从而破坏半导体层的电学特性。而且，现在采用直接在基板上沉积遮光层来阻止背光源发出的光照射到半导体层上，这样会增加一次构图工艺，增加成本。
技术实现思路
本专利技术提供了薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及显示装置，上述薄膜晶体管的制备方法通过改进工艺方案，减少了工艺步骤，利于增强使用该方法制成的阵列基板的薄膜晶体管的稳定性和偏压信赖性。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底基板上通过构图工艺形成遮光层图案和有源层图案，其中，所述有源层图案位于所述遮光层图案背离所述衬底基板的一侧，所述遮光层图案的材料为树脂；在所述有源层图案上形成栅绝缘层，栅极图案，层间绝缘层和源漏电极。上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上通过构图工艺形成遮光层图案和有源层图案，其中，所述有源层图案位于所述遮光层图案背离所述衬底基板的一侧，所述遮光层图案的材料为树脂；在所述有源层图案上形成栅绝缘层，栅极图案，层间绝缘层和源漏电极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上通过构图工艺形成遮光层图案和有源层图案，其中，所述有源层图案位于所述遮光层图案背离所述衬底基板的一侧，所述遮光层图案的材料为树脂；在所述有源层图案上形成栅绝缘层，栅极图案，层间绝缘层和源漏电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成遮光层图案和有源层图案的构图工艺为一次构图工艺。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述遮光层图案的材料为感光型树脂，所述在所述衬底基板上形成遮光层图案和有源层图案的构图工艺，包括：在所述衬底基板上涂覆感光型树脂材料，经过软烘工艺形成遮光薄膜；在所述遮光薄膜上形成有源层前驱体薄膜；对所述遮光层薄膜以及所述有源层前驱体薄膜进行曝光显影、烧结固化，形成所述遮光层图案和有源层图案。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述在所述遮光薄膜上形成有源层前驱体薄膜，包括:在所述遮光薄膜表面涂布乙酰丙酮铟溶液，形成乙酰丙酮铟薄膜；将水合硝酸镓、氯化锌化学活性组分在有机溶剂中溶解形成溶液、涂覆于所述乙酰丙酮铟薄膜，并通过曝光形成进行铟镓锌氧化物前驱体的薄膜。5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在所述有源层图案上形成栅绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪建国，李海旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11