氧化物薄膜晶体管及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
氧化物薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)在电子装置中被广泛的作为开关装置和驱动装置使用。具体地，因为薄膜晶体管可形成在玻璃基板或塑料基板上，所以它们通常用在诸如液晶显示装置(LCD)、有机发光显示装置(OLED)等平板显示装置领域。氧化物半导体由于具有较高的电子迁移率(氧化物半导体的电子迁移率>10cm2/Vs，非晶硅(a-Si)的电子迁移率仅0.5～0.8cm2/Vs)，而且相比低温多晶硅(LTPS)，氧化物半导体制程简单，与非晶硅制程相容性较高，可以应用于液晶显示装置、有机发光显示装置、柔性显示(Flexible)等领域，且与高世代生产线兼容，可应用于大中小尺寸显示，具有良好的应用发展前景，为当前业界研究热门。氧化物薄膜晶体管(oxidethin-filmtransistor，oxideTFT)的迁移率受晶形的影响不大，成膜的温度较低，具有良好的经济效益，甚有可能取代硅基薄膜晶体管技术。目前对于氧化物薄膜晶体管的制备常用技术包括背沟道刻蚀(backchan...
【技术保护点】
一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板，在所述基板表面设置一第一金属层；采用第一道光罩制程形成栅极及信号线；在所述基板暴露的表面、所述栅极表面及所述信号线表面依次形成栅极绝缘层、有源层及刻蚀阻挡层；采用第二道光罩制程使部分信号线暴露，并使有源层的源极区域及漏极区域暴露；在上述基板结构表面依次形成第二金属层、第一光阻层及第二光阻层，所述第一光阻层为有机光阻层；采用第三道光罩制程形成源极和漏极，并形成透明电极，所述源极与信号线的暴露区域及有源层的源极区域连接，所述漏极与所述有源层的漏极区域连接，所述透明电极与所述漏极连接，在此步骤中，所述第一光阻层...
【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一基板，在所述基板表面设置一第一金属层；采用第一道光罩制程形成栅极及信号线；在所述基板暴露的表面、所述栅极表面及所述信号线表面依次形成栅极绝缘层、有源层及刻蚀阻挡层；采用第二道光罩制程使部分信号线暴露，并使有源层的源极区域及漏极区域暴露；在上述基板结构表面依次形成第二金属层、第一光阻层及第二光阻层，所述第一光阻层为有机光阻层；采用第三道光罩制程形成源极和漏极，并形成透明电极，所述源极与信号线的暴露区域及有源层的源极区域连接，所述漏极与所述有源层的漏极区域连接，所述透明电极与所述漏极连接，在此步骤中，所述第一光阻层被保留；退火处理，以使所述第一光阻层融化，并包覆所述源极和漏极暴露的表面。2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，采用第二道光罩制程使部分信号线暴露，并使有源层的源极区域及漏极区域暴露的步骤具体为：在所述刻蚀阻挡层表面形成图形化的光阻层，所述光阻层包括第一光阻区域、第二光阻区域及第三光阻区域，所述第一光阻区域对应信号线区域，所述第二光阻区域对应源极区域及漏极区域，所述第三光阻区域对应夹设于源极与漏极之间的有源层，在所述第一光阻区域具有一光阻过孔，所述光阻过孔暴露出所述刻蚀阻挡层，其中，所述第一光阻区域的光阻的厚度小于所述第二光阻区域的光阻的厚度，所述第二光阻区域的光阻的厚度小于所述第三光阻区域的光阻的厚度；通过所述光阻过孔依次刻蚀所述刻蚀阻挡层及有源层，暴露出所述栅极绝缘层；通过光阻灰化制程去除所述第一光阻区域的光阻，并暴露出第一光阻区域对应的刻蚀阻挡层；去除暴露出的所述刻蚀阻挡层，暴露出有源层；通过光阻灰化制程去除所述第二光阻区域的光阻，并暴露出第二光阻区域对应的刻蚀阻挡层；去除暴露的有源层、刻蚀阻挡层及与所述光阻过孔对应的栅极绝缘层，暴露出栅极绝缘层、所述有源层的源极区域及漏极区域和部分信号线；去除所述第三光阻区域的光阻。3.根据权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述第一光阻区域形成光阻过孔的方法为干法刻蚀所述第一光阻区域的光阻，在通过所述光阻过孔依次刻蚀所述刻蚀阻挡层及有源层的步骤中，采用湿法刻蚀的方法刻蚀所述刻蚀阻挡层，采用...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓金全，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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