一种场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种场效应晶体管及其制备方法，该方法包括通过含有黑磷纳米片或黑磷量子点的溶液在基板的上方形成有源层；形成与有源层接触的源极图案层和漏极图案层。通过这种方法，使用溶液法以黑磷纳米片或黑磷量子点为材料制备场效应晶体管中的有源层，制程简单降低生产成本，丰富了场效应晶体管的制备材料，减少了环境的污染及对金属元素的依赖性，同时采用石墨烯或碳纳米等碳材料制备源、漏极与顶栅图案层，可与黑磷有源层形成有效的欧姆接触，降低接触电阻。

A field effect transistor and its preparation method

The present invention provides a field effect transistor and a preparation method thereof, the method includes solution by containing black phosphorus nanosheets or black phosphorus quantum dot active layer is formed on the top of the substrate; forming a contact with the active layer of the source drain pattern layer and pattern layer. By this method, using the solution method to black phosphorus nanosheets or black phosphorus quantum dots as the active layer material preparation of the field-effect transistor has the advantages of simple process to reduce the production cost, rich field effect transistor preparation materials, reduce environmental pollution and dependence on metal elements. At the same time using graphene or carbon nano carbon material preparation, source drain and top gate pattern layer can form effective ohmic contact and the active layer of black phosphorus, reduce the contact resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种场效应晶体管及其制备方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种场效应晶体管及其制备方法。
技术介绍
场效应晶体管是利用半导体的表面效应，以栅极电压控制半导体有源层表面的空穴与电子耗尽或积累，决定沟道的导通状况，实现开关功能。场效应晶体管因原理简单，工艺成熟，可靠性高，现已普遍应用于电子器件和集成电路的制造。场效应晶体管的性能受到工艺、制程、材料和器件结构等多个因素的影响，其中沟道材料和器件结构从根本上决定着场效应晶体管的迁移率和工作效率。.二维纳米材料如石墨烯、过渡金属硫化物等，以其优异的物理和结构特性已经在电子、传感和光电器件等多领域表现出非凡的应用潜力。其中，石墨烯作为最具代表性的二维材料已经被广泛研究，它具有超高的载流子迁移率，但缺乏带隙却严重阻碍了石墨烯在半导体器件如场效应晶体管中的应用，而过渡金属硫化物中的二硫化钥具有明显的带隙，且在晶体管中表现出优异的开关比特性。然而，二硫化钥的结构缺陷可能会导致电子迁移率的降低，从而影响它的电学性能。因此，在石墨烯中引入带隙的方法被使用。黑磷由于其优异的性能得到了科学界广泛关注，它有着类似但不同于石墨烯片层装结构的波形层状结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：通过含有黑磷纳米片或黑磷量子点的溶液在基板的上方形成有源层；形成与所述有源层接触的源极图案层和漏极图案层。

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：通过含有黑磷纳米片或黑磷量子点的溶液在基板的上方形成有源层；形成与所述有源层接触的源极图案层和漏极图案层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过含有黑磷纳米片或黑磷量子点的溶液在基板的上方形成有源层包括：使用旋涂法在所述基板的上方将所述含有黑磷纳米片或黑磷量子点的溶液旋涂形成黑磷膜层；低温真空蒸发所述黑磷膜层以形成黑磷有源层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成与所述有源层接触的源极图案层和漏极图案层包括：在基体上形成导电材料层并通过转印工艺将所述导电材料层转移至所述有源层上；通过等离子体光刻法对所述导电材料层图案化处理以形成所述源极图案层和所述漏极图案层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述导电材料为石墨烯或碳纳米的导电碳材料。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述基板上依次形成底栅图案层及覆盖所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢华飞，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44