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本发明提供了一种低温薄膜晶体管的制备方法，无需退火就能够制备出面积大而均匀、并且性能优良的薄膜晶体管，其特征在于，包括以下步骤：步骤1.将沉积有导电薄膜的衬底放入ALD反应室中，然后进行抽真空及升温处理；步骤2.于室温～120℃下，生长k值...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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