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本申请公开了一种制备双栅氧化物半导体薄膜晶体管的方法，包括在衬底上依次形成底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层、顶栅电极、钝化层以及电极导电层，其中所述有源层的材料是透明的氧化物半导体材料；其中，形成所述顶栅电极的操作包括在所述顶栅介质...
该专利属于北京大学深圳研究生院所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学深圳研究生院授权不得商用。

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