动态随机存取存储器处理单元制造技术

一种动态随机存取存储器(DRAM)处理单元(DPU)。DPU可包括至少一个计算单元阵列，所述计算单元阵列可包括布置在具有至少一个列的阵列中的多个基于DRAM的计算单元，其中，所述至少一个列可包括至少三个行的基于DRAM的计算单元，所述至少三个行的基于DRAM的计算单元被配置为提供针对所述至少三个行中的第一行和第二行进行运算的逻辑功能，并被配置为将所述逻辑功能的结果存储在所述至少三个行中的第三个行中。

Dynamic random access memory processing unit

A dynamic random access memory (DRAM) processing unit (DPU). The DPU may include at least one array of computing units, which may include a plurality of DRAM based computing units arranged in an array with at least one column, in which at least one column may include a DRAM based computing unit of at least three rows, and the DRAM based computing unit of at least three rows is matched. It is set to provide a logical function for the operation of the first and second lines of at least three rows, and is configured to store the results of the logical function in third rows of at least three rows.

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器处理单元相关申请的交叉引用本专利申请要求于2016年10月28日提交的第62/414，426号美国临时专利申请以及于2017年2月6日提交的第15/425，996号美国专利申请的优先权权益，所述两个专利申请的公开通过引用全部合并于此。
本申请涉及一种存储器系统，更为具体地讲，涉及一种基于DRAM的处理单元。
技术介绍
图形处理单元(GPU)和张量处理单元(TPU)通常被用于深度学习处理。深度学习处理包括由GPU或TPU不能有效执行的高度并行处理。
技术实现思路
示例实施例提供了一种动态随机存取存储器(DRAM)处理单元(DPU)，该DPU可包括至少一个计算单元阵列，所述至少一个计算单元阵列可包括被布置在具有至少一个列的阵列中的多个基于DRAM的计算单元，其中，所述至少一个列可包括至少三个行的基于DRAM的计算单元，所述至少三个行的基于DRAM的计算单元被配置为提供针对所述至少三个行中的第一行和第二行进行运算的逻辑功能，并被配置为将所述逻辑功能的结果存储在所述至少三个行中的第三行中。在一个实施例中，所述至少一个列的基于DRAM的计算单元中的每个基于DRAM的计算单元包括提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种动态随机存取存储器处理单元，包括：至少一个计算单元阵列，该至少一个计算单元阵列包括布置在具有至少一个列的阵列中的多个基于动态随机存取存储器DRAM的计算单元，所述至少一个列包括至少三个行的基于DRAM的计算单元，所述至少三个行的基于DRAM的计算单元被配置为提供针对所述至少三个行中的第一行和第二行进行运算的逻辑功能，并被配置为将所述逻辑功能的结果存储在所述至少三个行中的第三行中。

【技术特征摘要】
2016.10.28 US 62/414,426;2017.02.06 US 15/425,9961.一种动态随机存取存储器处理单元，包括：至少一个计算单元阵列，该至少一个计算单元阵列包括布置在具有至少一个列的阵列中的多个基于动态随机存取存储器DRAM的计算单元，所述至少一个列包括至少三个行的基于DRAM的计算单元，所述至少三个行的基于DRAM的计算单元被配置为提供针对所述至少三个行中的第一行和第二行进行运算的逻辑功能，并被配置为将所述逻辑功能的结果存储在所述至少三个行中的第三行中。2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器处理单元，其中，所述至少一个列的基于DRAM的计算单元中的每个基于DRAM的计算单元包括三个晶体管-一个电容器DRAM存储器单元。3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器处理单元，其中，所述至少一个列的基于DRAM的计算单元提供或非逻辑功能。4.如权利要求1所述的动态随机存取存储器处理单元，其中，所述至少一个列的基于DRAM的计算单元中的每个基于DRAM的计算单元包括一个晶体管-一个电容器DRAM存储器单元。5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器处理单元，其中，每个基于DRAM的计算单元还包括结合到所述基于DRAM的计算单元的位线的算术逻辑单元，所述算术逻辑单元提供所述逻辑功能。6.如权利要求5所述的动态随机存取存储器处理单元，其中，所述算术逻辑单元提供或非逻辑功能。7.如权利要求1所述的动态随机存取存储器处理单元，还包括：至少一个数据单元阵列，包括布置在至少一个列中的至少一个基于DRAM的存储器单元；以及感测放大器，包括电结合到所述至少三个行的基于DRAM的计算单元的读位线的输入和电结合到所述至少三个行的基于DRAM的计算单元的写位线的输出。8.一种动态随机存取存储器处理单元，包括：至少一个计算单元阵列，该至少一个计算单元阵列包括布置在具有至少一个列的阵列中的多个基于DRAM的计算单元，所述至少一个列包括至少三个行的基于DRAM的计算单元，所述至少三个行的基于DRAM的计算单元被配置为提供针对所述至少三个行中的第一行和第二行进行运算的逻辑功能，并被配置为将所述逻辑功能的结果存储在所述至少三个行中的第三行中；以及至少一个数据单元阵列，包括布置在至少一个列中的至少一个基于DRAM的存储器单元。9.如权利要求8所述的动态随机存取存储器处理单元，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李双辰，牛迪民，克里希纳·马拉丁，郑宏忠，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR