一种光刻版图的填充流程及光刻掩膜的设计方法技术

本发明专利技术涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种光刻版图的填充流程及光刻掩膜的设计方法，包括：步骤S1，提供具有设计图形的原始的版图，设计图形对应于特定的集成电路设计；步骤S2，针对第一版图，使用用于填充冗余图形的第一编码程序进行冗余图形的填充；步骤S3，针对填充冗余图形后的版图，使用光学邻近效应修正的第二编码程序填充能够印刷在晶圆上的印刷图形；步骤S4，对填充冗余图形和印刷图形后的第三版图进行时序分析；能够进行全面完整印刷图案的时序分析，从而保证了制备过程的高可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻版图的填充流程及光刻掩膜的设计方法
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种光刻版图的填充流程及光刻掩膜的设计方法。
技术介绍
集成电路版图中，一般需要根据半导体器件中各层次的相互关系，计算出芯片上不可填充冗余图形区域与可填充冗余图形区域，在可填充冗余图形区域填充特定形式的冗余图形。传统的集成电路布局设计中，完成冗余图形的填充后一般需要进行时序分析，但此时的时序分析无法将后续的经过光学邻近效应修正而增加的额外印刷图形考虑在内，从而可能导致时序分析失效。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出了一种光刻版图的填充流程，其中，包括：步骤S1，提供具有设计图形的原始的版图，所述设计图形对应于特定的集成电路设计；步骤S2，针对所述第一版图，使用用于填充冗余图形的第一编码程序进行所述冗余图形的填充；步骤S3，针对填充所述冗余图形后的版图，使用光学邻近效应修正的第二编码程序填充能够印刷在晶圆上的印刷图形；步骤S4，对填充所述冗余图形和所述印刷图形后的所述第三版图进行时序分析。上述的填充流程，其中，所述步骤S2和S3中，填充所述冗余图形和所述印刷图形的操作同时完成。上述的填充流程，其中，通过整合所述第一编码程序和所述第二编码程序使得所述冗余图形和所述印刷图形的操作同时完成。一种光刻掩膜的设计方法，其中，包括如上任一所述的填充流程。有益效果：本专利技术提出的一种光刻版图的填充流程及光刻掩膜的设计方法，能够进行全面完整印刷图案的时序分析，从而保证了制备过程的高可靠性。附图说明图1为本专利技术一实施例中光刻版图的填充流程的步骤流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行进一步说明。实施例一在一个较佳的实施例中，如图1所示，提出了一种光刻版图的填充流程，其中，可以包括：步骤S1，提供具有设计图形的原始的版图，设计图形对应于特定的集成电路设计；步骤S2，针对第一版图，使用用于填充冗余图形的第一编码程序进行冗余图形的填充；步骤S3，针对填充冗余图形后的版图，使用光学邻近效应修正的第二编码程序填充能够印刷在晶圆上的印刷图形；步骤S4，对填充冗余图形和印刷图形后的第三版图进行时序分析。上述技术方案中，传统的用于后续在晶圆上进行印刷的由于光学邻近效应修正增加的印刷线往往在时序分析结束后进行制备，不参与时序分析，则无法被考虑在时序分析中，因此传统流程容易导致时序分析失效；采用本专利技术中的填充流程，可以将由于光学邻近效应修正填充的印刷图形也考虑在内，使得时序分析更为完整和有效；时序分析的具体形式是本领域的常规技术，在此不再赘述，本专利技术是将光学邻近效应修正填充的对应于可被光刻在晶圆上的结构的印刷图形也加入时序分析中，并不对时序分析的具体形式进行改进；光学邻近效应修正填充的对应于可被光刻在晶圆上的印刷结构的印刷图形的填充可以完成于冗余图形的填充之后，使得两种图形的填充分步进行，避免互相产生干扰或产生报错；特定的集成电路设计可以是本领常规的各种设计，在此不再赘述。在一个较佳的实施例中，步骤S2和S3中，填充冗余图形和印刷图形的操作同时完成，使得两种图形的填充同时进行，反应时间短，效率高。上述实施例中，优选地，可以通过整合第一编码程序和第二编码程序使得冗余图形和印刷图形的操作同时完成。实施例二在一个较佳的实施例中，还提出了一种光刻掩膜的设计方法，其中，可以包括如上任一的填充流程，以及形成光刻掩膜的其他常规步骤或流程，例如后续的流片以及硬掩膜的制备等。上述技术方案采用的填充流程不会对形成光刻掩膜的图案的其他常规的步骤或流程产生影响，具有较好的可兼容性。综上所述，本专利技术提出的一种光刻版图的填充流程及光刻掩膜的设计方法，包括：步骤S1，提供具有设计图形的原始的版图，设计图形对应于特定的集成电路设计；步骤S2，针对第一版图，使用用于填充冗余图形的第一编码程序进行冗余图形的填充；步骤S3，针对填充冗余图形后的版图，使用光学邻近效应修正的第二编码程序填充能够印刷在晶圆上的印刷图形；步骤S4，对填充冗余图形和印刷图形后的第三版图进行时序分析；能够进行全面完整印刷图案的时序分析，从而保证了制备过程的高可靠性。通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本专利技术精神，还可作其他的转换。尽管上述专利技术提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本专利技术的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本专利技术的意图和范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻版图的填充流程，其特征在于，包括：步骤S1，提供具有设计图形的原始的版图，所述设计图形对应于特定的集成电路设计；步骤S2，针对所述第一版图，使用用于填充冗余图形的第一编码程序进行所述冗余图形的填充；步骤S3，针对填充所述冗余图形后的版图，使用光学邻近效应修正的第二编码程序填充能够印刷在晶圆上的印刷图形；步骤S4，对填充所述冗余图形和所述印刷图形后的所述第三版图进行时序分析。

【技术特征摘要】
1.一种光刻版图的填充流程，其特征在于，包括：步骤S1，提供具有设计图形的原始的版图，所述设计图形对应于特定的集成电路设计；步骤S2，针对所述第一版图，使用用于填充冗余图形的第一编码程序进行所述冗余图形的填充；步骤S3，针对填充所述冗余图形后的版图，使用光学邻近效应修正的第二编码程序填充能够印刷在晶圆上的印刷图形；步骤S4，对填充所述冗余图形和所述印刷图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊强，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31