一种晶圆片级芯片规模封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种晶圆片级芯片规模封装结构，其中，封装结构至少包括：芯片；覆盖于所述芯片上表面的重新布线层；形成于所述重新布线层上表面的多个焊料球，且所述焊料球通过所述重新布线层实现与所述芯片的电性连接；包围于所述重新布线层上表面和侧壁以及所述芯片侧壁且围住每个焊料球的第一塑封层；以及形成于所述芯片下表面的第二塑封层，且所述第二塑封层与所述第一塑封层无缝连接，从而形成包围所述芯片六个表面的晶圆片级芯片规模封装结构。本实用新型专利技术通过两个塑封层无缝连接形成包围芯片六个表面的封装保护，有效补偿应力造成的封装结构的翘曲变形，能够制备较大尺寸的封装结构，满足大尺寸芯片的封装需求。

A wafer scale chip scale package structure

The utility model provides a wafer level chip scale package structure, in which the package structure at least includes: a chip, a rewiring layer covering the surface of the chip, and a plurality of solder balls formed on the surface of the rewiring layer, and the solder ball is electrically connected to the chip through the new wiring layer. A first plastic seal that surrounds the surface and side wall of the rewiring layer and the side wall of the chip and surrounds each solder ball; and a second plastic seal formed on the lower surface of the chip, and the second plastic seal is seamlessly connected with the first plastic seal to form a wafer that surrounds the six surfaces of the chip. Chip scale package structure. The utility model has seamless connection through two plastic seals to form the package protection of the six surfaces of the encircling chip, effectively compensates the warpage of the packaging structure caused by the stress, and can prepare the large size package structure to meet the packaging requirements of the large size chip.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆片级芯片规模封装结构
本技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种晶圆片级芯片规模封装结构。
技术介绍
晶圆片级芯片规模封装(WaferLevelChipScalePackaging，简称WLCSP)，即晶圆级芯片封装方式，是一种低成本的批量生产芯片封装技术，不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20％的体积)，而是在IC电路完成后直接在整片晶圆上进行整体封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，可直接进行组装等后道工序生产，因此封装后的体积即等同IC裸芯片的原尺寸，是最小的微型表面贴装器件。WLCSP是一种真正意义上的芯片尺寸封装，是一种以BGA(BallGridArray，焊料球阵列)封装技术为基础，经过改进和提高的CSP(ChipScalePackage，芯片级封装)，综合了BGA封装和CSP的技术优势。目前，在高端智能手机中超过30％的封装采用WLCSP的封装方式，不仅明显地缩小内存模块尺寸，而且符合对机体空间的高密度需求；另一方面在效能的表现上，更提升了数据传输的速度与稳定性。WLCSP不仅是实现高密度、高性能封装和SiP的重要技术，同时也将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆片级芯片规模封装结构，其特征在于，所述晶圆片级芯片规模封装结构至少包括：芯片；覆盖于所述芯片上表面的重新布线层；形成于所述重新布线层上表面的多个焊料球，且所述焊料球通过所述重新布线层实现与所述芯片的电性连接；包围于所述重新布线层上表面和侧壁以及所述芯片侧壁且围住每个焊料球的第一塑封层；以及形成于所述芯片下表面的第二塑封层，且所述第二塑封层与所述第一塑封层无缝连接，从而形成包围所述芯片六个表面的晶圆片级芯片规模封装结构。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆片级芯片规模封装结构，其特征在于，所述晶圆片级芯片规模封装结构至少包括：芯片；覆盖于所述芯片上表面的重新布线层；形成于所述重新布线层上表面的多个焊料球，且所述焊料球通过所述重新布线层实现与所述芯片的电性连接；包围于所述重新布线层上表面和侧壁以及所述芯片侧壁且围住每个焊料球的第一塑封层；以及形成于所述芯片下表面的第二塑封层，且所述第二塑封层与所述第一塑封层无缝连接，从而形成包围所述芯片六个表面的晶圆片级芯片规模封装结构。2.根据权利要求1所述的晶圆片级芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴政达，林正忠，
申请(专利权)人：中芯长电半导体江阴有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32