SONOS器件的形成方法技术

本发明专利技术的一种SONOS器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻的存储管区域及选择管区域，所述选择管区域上方具有栅极氧化层；形成覆盖所述栅极氧化层及存储管区域的ONO结构；去除远离所述储管区域的部分所述选择管区域上方的ONO结构；采用原位水汽氧化生成工艺在所述栅极氧化层上方的ONO结构的侧壁形成保护层。本发明专利技术中，去除选择管区域上方的部分ONO结构，暴露出ONO结构的侧壁，并采用原位水汽氧化生成工艺氧化ONO结构的侧壁，形成侧壁保护层，提高存储管的性能。

【技术实现步骤摘要】
SONOS器件的形成方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造
，尤其涉及一种SONOS器件的形成方法。
技术介绍
随着闪存技术不断发展，当浮栅闪存技术遭遇到尺寸缩小带来的各种挑战时，SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon，硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅)存储器展现出独特的优势。它克服了浮栅干扰的技术瓶颈，拥有更低的操作电压，同时可以和传统CMOS工艺完美健荣，被广泛应用在智能卡，金融保密，工业嵌入式控制等众多领域。典型的SONOS结构是由硅衬底(S)-隧穿氧化层(O)-电荷存储层(N)-阻挡氧化层(O)-多晶硅栅极(S)组成。这种结构利用电子的隧穿来进行编译，空穴的注入来进行数据的擦除。在现有的SONOS工艺流程中，先制备选择管栅极氧化层，再制备ONO层，即隧穿氧化层、电荷存储层、阻挡氧化层，采用干法刻蚀去除选择管区域的ONO结构的阻挡氧化层，再利用湿法刻蚀去除选择管区域的ONO的电荷存储层，电荷存储层直接暴露在外面，容易受到后续工艺的影响，进而影响SONOS器件性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于SONOS器件的形成方法，解决现有技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SONOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻的存储管区域及选择管区域，所述选择管区域上方具有栅极氧化层；形成覆盖所述栅极氧化层及存储管区域的ONO结构；去除远离所述存储管区域的部分所述选择管区域上方的ONO结构；采用原位水汽氧化生成工艺在所述栅极氧化层上方的ONO结构的侧壁形成保护层。

【技术特征摘要】
1.一种SONOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻的存储管区域及选择管区域，所述选择管区域上方具有栅极氧化层；形成覆盖所述栅极氧化层及存储管区域的ONO结构；去除远离所述存储管区域的部分所述选择管区域上方的ONO结构；采用原位水汽氧化生成工艺在所述栅极氧化层上方的ONO结构的侧壁形成保护层。2.如权利要求1所述的SONOS器件的形成方法，其特征在于，所述ONO结构包括依次层叠的隧穿氧化层、电荷存储层及阻挡氧化层。3.如权利要求2所述的SONOS器件的形成方法，其特征在于，所述隧穿氧化层为氧化硅层，厚度为4.如权利要求3所述的SONOS器件的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述O...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁航晨，张强，黄冠群，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31