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本发明的一种SONOS器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻的存储管区域及选择管区域，所述选择管区域上方具有栅极氧化层；形成覆盖所述栅极氧化层及存储管区域的ONO结构；去除远离所述储管区域的部分所述选择管区域上方的ON...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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