陶瓷电子部件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种陶瓷电子部件，用于抑制作为最外层具有锡层的外部电极中晶须的产生。陶瓷电子部件包括陶瓷主体和外部电极。上述外部电极沿所述陶瓷主体的表面形成，并且具有分散有空隙的锡层作为最外层。该结构中，通过在锡层中分散的孔隙来缓和由于各种原因施加于锡层的压缩应力。因此，该陶瓷电子部件中，能够抑制锡层中的晶须的产生。

【技术实现步骤摘要】
陶瓷电子部件及其制造方法
本专利技术涉及具有外部电极的陶瓷电子部件及其制造方法。
技术介绍
随着电子设备的无铅化，对于搭载于电子设备的陶瓷电子部件也寻求无铅化。另外，寻求陶瓷电子部件中利用锡类的无铅焊料的安装性的提高。为满足该要求，以锡层作为陶瓷电子部件的外部电极的最外层是有效的。在一般的陶瓷电子部件的外部电极包含铜层。但是，已知在铜层上形成有锡层的外部电极中，容易产生从锡层髭须状地成长的晶须。晶须一旦从锡层脱离而落到电路板上时，就成为电路板短路的原因。晶须被认为是由于压缩应力施加在锡层而产生的。这一点，在上述外部电极，在锡层和铜层的交界部，容易产生含有锡和铜的金属间化合物。该金属间化合物，由于在生成时体积增大，所以向锡层施加压缩应力。由此，认为晶须是在锡层产生的物质。在专利文献1、2，公开了能够抑制在锡层产生晶须的技术。专利文献1、2的技术中，在锡层与铜层之间设置镍层。由此，由于镍层阻挡锡层与铜层的接触，所以能够防止含有锡和铜的金属间化合物的形成。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2013/111625号公报专利文献2：日本特开2013-91848号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，向外部电极施加压缩应力的主要原因，不只是含有锡和铜的金属间化合物的生成。例如，存在由于陶瓷电子部件在制造时或搬运时的冲击等而向外部电极的锡层施加压缩应力的情况。在该情况下，利用专利文献1、2的技术，难以防止锡层的晶须的产生。鉴于上述情况，本专利技术的目的在于提供一种技术，用于抑制具有锡层作为最外层的外部电极中晶须的产生。用于解决课题的技术手段为达成上述目的，本专利技术的一个方式的陶瓷电子部件包括陶瓷主体和外部电极。上述外部电极沿上述陶瓷主体的表面形成，并且上述外部电极包括分散有孔隙的锡层作为最外层。该构成中，通过分散在锡层的孔隙来缓和由于各种原因施加于锡层的压缩应力。因此，该陶瓷电子部件中，能够抑制锡层中的晶须的产生。上述外部电极还包括与上述锡层的内侧相邻接的铜层。该构成中，即使由于在锡层与铜层的交界部生成金属间化合物而在锡层施加压缩应力时，也能够利用分散在锡层的孔隙来缓和该压缩应力。本专利技术的其他实施方式的陶瓷电子部件的制造方法，包括准备陶瓷主体的步骤，和在上述陶瓷主体的表面形成外部电极的步骤。在上述形成外部电极的步骤中，包括通过溅射形成锡层来作为上述外部电极的最外层的步骤。在上述锡层可以分散有孔隙。上述溅射可以为磁控溅射。上述形成外部电极的步骤包括在形成上述锡层前形成铜层的步骤。在上述结构中，通过利用溅射形成锡层，能够迅速且容易地得到分散有孔隙的锡层。即，在上述结构中，能够得到即使施加压缩应力，也难以产生晶须的锡层。上述铜层可以通过溅射形成。在该结构中，由于能够以一连串的工艺进行铜层的形成和锡层的形成，因此能够提高陶瓷电子部件的制造效率。在形成上述外部电极前，可以对上述陶瓷主体进行反溅射。在该结构中，由于利用反溅射净化陶瓷主体的表面，能够得到外部电极与陶瓷主体的表面的特别良好的连接性。另外，由于能够以一连串的工艺进行反溅射、铜层的形成和锡层的形成，因此能够提高陶瓷电子部件的制造效率。专利技术效果本专利技术能够提供一种技术，用于抑制具有锡层作为最外层的外部电极的晶须的产生。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式的层叠陶瓷电容器的立体图。图2是上述层叠陶瓷电容器的沿图1的A-A’线的截面图。图3是上述层叠陶瓷电容器的沿图1的B-B’线的截面图。图4是放大表示上述层叠陶瓷电容器的图1的区域A1的局部平面图。图5是放大表示上述层叠陶瓷电容器的图2的区域A2的局部平面图。图6是表示向上述实施方式的比较例的外部电极施加了压缩应力的状态的局部截面图。图7是表示向上述层叠陶瓷电容器的外部电极施加了压缩应力的状态的局部截面图。图8是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的立体图。图9是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的立体图。图10是表示上述层叠陶瓷电容器的外部电极的形成例1的流程图。图11A～图11C是表示上述层叠陶瓷电容器的外部电极的形成例1的过程的截面图。图12是表示上述层叠陶瓷电容器的外部电极的形成例2的流程图。图13A～图13C是表示上述层叠陶瓷电容器的外部电极的形成例2的过程的截面图。图14是表示上述层叠陶瓷电容器的外部电极的形成例3的流程图。图15A～图15C是表示上述层叠陶瓷电容器的外部电极的形成例3的过程的截面图。附图标记说明10层叠陶瓷电容器11陶瓷主体12，13内部电极14，15外部电极14a，15a内层14b，15b外层P孔隙具体实施方式以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。在附图中，适当地表示出彼此正交的X轴、Y轴和Z轴。X轴、Y轴和Z轴在全部附图中是共通的。1.层叠陶瓷电容器101.1整体结构图1～3是表示本专利技术的一个实施方式的层叠陶瓷电容器10的图。图1是本专利技术的层叠陶瓷电容器10的立体图。图2是层叠陶瓷电容器10的沿图1的A-A’线的截面图。图3是层叠陶瓷电容器10的沿图1的B-B’线的截面图。层叠陶瓷电容器10具有陶瓷主体11、外部电极14和第二外部电极15。陶瓷主题11具有六面体形状，其包括朝向X轴方向的2个端面、朝向Y轴方向的2个侧面和朝向Z轴方向的2个主面。陶瓷主体11中，例如可以使X轴方向的尺寸为1.0mm、Y轴和Z轴方向的尺寸为0.5mm。此外，陶瓷主体11也可以不是严格的六面体形状，例如陶瓷主体11的各面可以为曲面，陶瓷主体11也可以是作为整体带圆角的形状。外部电极14、15覆盖陶瓷主体11的两端面，隔着陶瓷主体11在X轴方向上相对。外部电极14、15各自由电的良导体形成，作为层叠陶瓷电容器10的端子发挥功能。外部电极14、15从陶瓷主体11的两端面沿主面延伸，也稍微扩展到侧面。外部电极14、15在陶瓷主体11的主面和侧面彼此隔开间隔地离开。因此，从陶瓷主体11的侧面一侧看到的外部电极14、15的形状为U字形状，外部电极14、15的与X-Z平面平行的截面也为U字形状。此外，外部电极14、15的形状不限于此。例如，外部电极14、15，也可以从陶瓷主体11的两端面仅延伸到一个主面，在与X-Z平面平行的截面也为L字形状。1.2陶瓷主体11陶瓷主体11由电介质陶瓷形成。陶瓷主体11具有被电介质陶瓷覆盖的第一内部电极12和第二内部电极13。内部电极12、13均为沿X-Y平面延伸的片状，在Z轴方向上交替地配置。即，内部电极12、13隔着电介质陶瓷层在Z轴方向上相对。另外，第一内部电极12与第一外部电极14连接，而与第二外部电极15离开。与第一内部电极相反，第二内部电极13与第二外部电极15连接，而与第一外部电极14离开。内部电极12、13均由电的良导体形成，作为层叠陶瓷电容器10的内部电极发挥功能。作为形成内部电极12、13的电的良导体，例如，可以举出镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、铂(Pt)、银(Ag)、金(Au)等为主成分的金属或者合金。在陶瓷主体11，为了增大内部电极12、13之间的各电介质陶瓷层的容量，使用高介电常数的电介质陶瓷。作为高介电常数的电介质陶瓷，例如以钛酸钡(BaTiO3)为代表，可以举出包含钡(Ba)和钛(Ti)的钙钛矿构造的材料。另外，构成陶瓷主体11的电介质陶瓷，除钛酸钡类之外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷电子部件，其特征在于，包括：陶瓷主体，和沿所述陶瓷主体的表面形成的外部电极，所述外部电极包括分散有孔隙的锡层作为最外层。

【技术特征摘要】
2016.10.17 JP 2016-2034571.一种陶瓷电子部件，其特征在于，包括：陶瓷主体，和沿所述陶瓷主体的表面形成的外部电极，所述外部电极包括分散有孔隙的锡层作为最外层。2.如权利要求1所述的陶瓷电子部件，其特征在于：所述外部电极还包括与所述锡层的内侧相邻接的铜层。3.如权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其特征在于：所述锡层通过溅射形成。4.一种陶瓷电子部件的制造方法，包括准备陶瓷主体的步骤，和沿所述陶瓷主体的表面形成外部电极的步骤，所述制造方法的特征在于：在所述形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：富泽祐寿，赤石和香惠，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP