交叉点存储器单元阵列制造技术

本发明专利技术揭示一种交叉点存储器单元阵列，其包括与间隔第二线交叉的间隔第一线。两个存储器单元个别地介于所述第二线中的两个紧邻者中的一者与所述第一线中的相同单个者之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】交叉点存储器单元阵列
本文中所揭示的实施例涉及交叉点存储器单元阵列。
技术介绍
存储器是一种类型的集成电路，且用于计算机系统中以供存储数据。可以个别存储器单元的一或多个阵列制造存储器。可使用数字线(其也可被称为位线、数据线、感测线或数据/感测线)及存取线(其也可被称为字线)写入到存储器单元或从存储器单元读取。数字线可沿着阵列的列使存储器单元导电互连，且存取线可沿着阵列的行使存储器单元导电互连。可通过数字线及存取线的组合唯一寻址每一存储器单元。存储器单元可为易失性或非易失性。非易失性存储器单元可存储数据达延长的时间段，包含在关闭计算机时。易失性存储器耗散且因此需要(在许多实例中每秒多次)刷新/重写。无论如何，存储器单元经布置以在至少两个不同可选择状态中留存或存储存储器。在二进制系统中，状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经布置以存储信息的两个以上电平或状态。电容器是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。电容器具有通过电绝缘材料分离的两个电导体。作为电场的能量可被静电存储在此材料内。一种类型的电容器是具有作为绝缘材料的至少部分的铁电材料的铁电电容器。铁电材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种交叉点存储器单元阵列，其包括与间隔第二线交叉的间隔第一线，两个存储器单元个别地介于所述第二线中的两个紧邻者中的一者与所述第一线中的相同单个者之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.24 US 14/808,9591.一种交叉点存储器单元阵列，其包括与间隔第二线交叉的间隔第一线，两个存储器单元个别地介于所述第二线中的两个紧邻者中的一者与所述第一线中的相同单个者之间。2.根据权利要求1所述的阵列，其中所述存储器单元包括选择装置。3.根据权利要求2所述的阵列，其包括用于每个存储器单元的一个选择装置。4.根据权利要求2所述的阵列，其包括用于每两个存储器单元的一个选择装置。5.根据权利要求1所述的阵列，其中所述两个存储器单元各自包括可编程材料，且包括单个共享选择装置，所述单个共享选择装置经电耦合到所述第一线，且经电耦合到所述两个存储器单元中的每一者的所述可编程材料。6.根据权利要求1所述的阵列，其中所述两个存储器单元各自包括可编程材料，且包括两个非共享选择装置，所述两个非共享选择装置经个别地电耦合到所述两个紧邻第二线中的相应者，且经电耦合到所述两个存储器单元中的不同者的所述可编程材料。7.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第一线及所述第二线彼此成非正交角度。8.根据权利要求7所述的阵列，其中所述第一线及所述第二线彼此成约45°角。9.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第二线是竖向上位于所述第一线外。10.根据权利要求1所述的阵列，其中所述第一线及所述第二线在所述阵列内个别地呈直线。11.根据权利要求1所述的阵列，其中所述两个存储器单元是个别竖向伸长的，且共享竖向伸长导电柱。12.根据权利要求11所述的阵列，其中所述共享导电柱是竖向上位于所述第一线上方。13.根据权利要求1所述的阵列，其中所述两个存储器单元是个别竖向伸长的，所述两个存储器单元共同包括共享竖向伸长导电柱及两个非共享竖向伸长导电柱。14.根据权利要求13所述的阵列，其中所述两个非共享导电柱个别地具有低于所述共享导电柱的导电材料体积。15.一种交叉点存储器单元阵列，其包括：间隔下第一线、与所述第一线交叉的间隔上第二线，及个别竖向上介于所述第二线中的两个紧邻者中的一者与所述第一线中的相同单个者之间的两个存储器单元，所述个别存储器单元包括：彼此串联的选择装置及可编程装置，所述选择装置接近于且经电耦合到所述第一线或所述第二线中的一者，所述可编程装置接近于且经电耦合到所述第一线或所述第二线中的另一者中的一者；及所述可编程装置包括：第一柱状电极，其竖向上位于所述第一线上方，所述第一柱状电极包括顶部及相对侧壁，所述第一柱状电极是由所述两个存储器单元共享；可编程材料，其横向上位于所述第一柱状电极的所述相对侧壁中的一者外；第二电极，其位于横向上位于所述第一柱状电极的所述相对侧壁外的所述可编程材料外；及所述第一柱状电极或所述第二电极中的一者经电耦合到所述选择装置，所述第一柱状电极或所述第二电极中的另一者经电耦合到所述第一线或所述第二线中的所述另一者中的所述一者。16.根据权利要求15所述的阵列，其中所述可编程材料位于所述第一柱状电极的所述顶部上方。17.根据权利要求16所述的阵列，其中所述可编程材料包括在所述第一柱状电极的所述相对侧壁及所述顶部上方延伸的连续层。18.根据权利要求15所述的阵列，其中所述第二电极个别地包括非共享导电柱，所述非共享导电柱包括一对横向最外角落边缘，所述第二线具有沿所述第二线在...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·E·西里斯，D·V·N·拉马斯瓦米，A·卡德罗尼，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US