相关电子开关制造技术

本文公开的主题可以涉及相关电子开关。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关电子开关
本文公开的主题可以涉及相关电子开关设备。
技术介绍
集成电路设备(例如电子开关设备)可以在各种类型的电子设备中找到。例如，存储器和/或逻辑设备可以包含可以用在计算机、数字照相机、蜂窝电话、平板设备和个人数字助理等中的电子开关。设计者考虑对任何特定应用的适用性时可能感兴趣的与(例如可以被结合在存储器和/或逻辑设备中的)电子开关设备有关的因素可以包括例如物理尺寸、存储密度、工作电压和/或功耗。设计者可能感兴趣的其他示例性因素可以包括制造成本、易于制造、可扩展性和/或可靠性。而且，对具有较低功率和/或较高速度特性的存储器和/或逻辑设备的需求似乎不断增加。附图说明要求保护的主题在说明书的结论部分被特别指出并明确要求保护。然而，对于组织和/或操作方法，连同其目的、特征和/或优点一起，如果阅读附图，通过参考以下详细描述可以被最好地理解，在附图中：图1a示出了根据实施例的包括相关电子材料的相关电子开关设备的示例性实施例的框图。图1b描绘了相关电子开关的示例性符号。图2是根据实施例的相关电子开关的等效电路的示意图。图3示出了根据实施例的相关电子开关的电流密度相对于电压的曲线图。图4描绘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：向相关电子开关设备的相关电子材料提供多个电子，以使得所述相关电子材料进入第一阻抗状态；以及向所述相关电子材料提供多个空穴，以使得所述相关电子材料进入第二阻抗状态。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.31 US 14/815,0541.一种方法，包括：向相关电子开关设备的相关电子材料提供多个电子，以使得所述相关电子材料进入第一阻抗状态；以及向所述相关电子材料提供多个空穴，以使得所述相关电子材料进入第二阻抗状态。2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述多个电子提供给所述相关电子材料使得跨所述相关电子材料的电压大于设置电压，和/或其中将所述多个空穴提供给所述相关电子材料使得跨所述相关电子材料的电压等于或大于重置电压。3.根据权利要求2所述的方法，其中跨所述相关电子材料的电压在所述相关电子材料中产生等于或大于设定电流密度和/或设定电流阈值的电流密度，和/或其中跨所述相关电子材料的电压在所述相关电子材料中产生等于或大于重置电流密度和/或重置电流阈值的电流密度。4.根据权利要求2或权利要求3所述的方法，还包括超过跨所述相关电子材料的所述设置电压和通过所述相关电子材料的设定电流密度，和/或超过跨所述相关电子材料的所述重置电压和通过所述相关电子材料的重置电流密度。5.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述第一阻抗状态表示第一数据值，并且其中所述第二阻抗状态表示第二数据值。6.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其中所述重置电压、所述设置电压、和/或所述设置电压与所述重置电压之间的差异中的至少一项与所述相关电子材料的一个或多个物理性质成比例。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述相关电子材料的一个或多个物理性质包括由于本地化而产生的强电子电势和/或电子的相关性中的一个或多个，并且其中所述设置电压与重置电压之间的差异指示写入窗口和/或编程窗口中的至少一个的大小。8.根据任一前述权利要求所述的方法，还包括至少部分地通过歧化反应来在所述第一阻抗状态与所述第二阻抗状态之间切换。9.根据任一前述权利要求所述的方法，还包括至少部分地通过动态地施加外部顺应条件来控制通过所述相关电子材料的电流以将所述相关电子材料置于所述第一阻抗状态，所述动态地施加外部顺应条件至少部分地基于在写入操作期间所限制的外部电流。10.一种方法，包括：对相关电子材料施加电压；以及至少部分地通过测量所述相关电子材料内的电流密度和/或电流来确定所述相关电子材料的阻抗状态。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述阻抗状态至少部分地取决于所述相关电子材料的电阻和电容的组合。12.根据权利要求11所述的方法，其中确定所述相关电子材料的阻抗状态包括确定多个阻抗状态中的一个，其中所述多个阻抗状态包括第一阻抗状态和第二阻抗状态，其中所述第一阻抗状态包括比所述第二阻抗状态的阻抗更低的阻抗。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一阻抗状态包括所述相关电子材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢西恩·施弗伦，
申请(专利权)人：ARM有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB