200取向TiN电极及其在制备阻变式存储器上的应用制造技术

本发明专利技术提供一种200取向TiN电极，所述200取向TiN电极包括氮化钛、氮氧化钛和二氧化钛，其中，所述氮化钛的摩尔分数为11％～42％，所述氮氧化钛的摩尔分数为17％～47％，所述二氧化钛的摩尔分数为26％～56％。本发明专利技术提供的200取向TiN电极应用在制备阻变式存储器上。本发明专利技术提供的200取向TiN电极具有良好的储氧能力，能够显著提升阻变式存储器的性能，利用本发明专利技术提供的200取向TiN电极制备得到的以二元氧化物、三元氧化物或硫系化合物为中间阻变层，以Pt、Au、Ag、Cu中的任一种为顶电极的阻变式存储器具有很好的双极性阻变效果。

【技术实现步骤摘要】
200取向TiN电极及其在制备阻变式存储器上的应用
本专利技术涉及集成电路器件
，尤其涉及一种200取向TiN电极及其在制备阻变式存储器上的应用。
技术介绍
随着以“互联网技术”为基石的第四次工业革命的稳步推进，全球范围内的数据信息正在井喷式增长；与此同时，虽然存储技术也取得了长足的发展，但由于“摩尔定律”的限制，存储器的发展速度远远落后于数据信息的增长速度。除此之外，基于计算与存储分离的冯洛伊曼结构的信息处理方式也越来越不适应海量的信息处理。近年来阻变式存储器(ResistiveRandomAccessMemory，RRAM)受到了人们的高度关注，这是因为阻变式存储器是一种纳米级器件且不受“摩尔定律”的限制；阻变式存储器不仅具有存储能力，而且还有完备的逻辑计算能力，能够同时达到计算和存储的目的，有望突破“冯洛伊曼结构”。阻变式存储器是以通过施加外部电压使器件在高阻和低阻之间来回切换以实现数据存储与处理为基本工作原理，其典型结构为三明治结构，即由顶电极、底电极及中间夹杂着的阻变层材料构成，阻变式存储器的这类三明治结构是通过各种制备方法如磁控溅射、溶胶-凝胶法、原子层沉积法等将薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种200取向TiN电极，其特征在于，所述200取向TiN电极包括氮化钛、氮氧化钛和二氧化钛，其中，所述氮化钛的摩尔分数为11％～42％，所述氮氧化钛的摩尔分数为17％～47％，所述二氧化钛的摩尔分数为26％～56％。

【技术特征摘要】
1.一种200取向TiN电极，其特征在于，所述200取向TiN电极包括氮化钛、氮氧化钛和二氧化钛，其中，所述氮化钛的摩尔分数为11％～42％，所述氮氧化钛的摩尔分数为17％～47％，所述二氧化钛的摩尔分数为26％～56％。2.如权利要求1所述的200取向TiN电极，其特征在于，所述200取向TiN电极中，所述氮化钛的摩尔分数为26.7％，所述氮氧化钛的摩尔分数为31.9％，所述二氧化钛的摩尔分数为41.4％。3.如权利要求1所述的200取向TiN电极，其特征在于，所述200取向TiN电极的内部分子呈规则有序的晶体结构状排列。4.权利要求1-3任一项所述的200取向TiN电极在制备阻变式存储器上的应用。5.如权利要求4所述的应用，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：董凯锋，孙超，卢慎敏，袁震宇，晋芳，莫文琴，宋俊磊，
申请(专利权)人：中国地质大学武汉，
类型：发明
国别省市：湖北,42