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200取向TiN电极及其在制备阻变式存储器上的应用制造技术
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文档序号:17708139
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本发明提供一种200取向TiN电极,所述200取向TiN电极包括氮化钛、氮氧化钛和二氧化钛,其中,所述氮化钛的摩尔分数为11%~42%,所述氮氧化钛的摩尔分数为17%~47%,所述二氧化钛的摩尔分数为26%~56%。本发明提供的200取向T...
该专利属于中国地质大学(武汉)所有,仅供学习研究参考,未经过中国地质大学(武汉)授权不得商用。
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