存储器单元制造技术

一些实施例包含一种存储器单元，其具有一对电极及所述电极之间的多个切换层级。每一切换层级具有离子缓冲区及电介质区。至少一个切换层级在所述离子缓冲区及/或所述电介质区的厚度及组合物中的一者或两者上与另一切换层级不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器单元
含有堆叠式离子缓冲区及电介质区的存储器单元。
技术介绍
集成存储器可在计算机系统中用于存储数据。集成存储器通常制造为个别存储器单元的一或多个阵列。存储器单元经配置以将存储器保持或存储于至少两个不同可选状态中。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储两个以上电平或状态的信息。实例存储器单元是可编程金属化单元(PMC)。此可替代地称为导电桥接随机存取存储器(CBRAM)、纳米桥存储器或电解质存储器。PMC可使用离子导电切换材料(例如，适当硫族化物或各种适当氧化物中的任一者)及邻近于所述切换材料的离子源材料。离子源材料及切换材料可经提供于一对电极之间。跨所述电极施加的适当电压可使离子从离子源材料迁移到切换材料中由此产生穿过切换材料的一或多个电流传导路径。跨所述电极施加的反向电压本质上使所述过程反转且因此移除电流传导路径。PMC因此包括高电阻状态(对应于不具有延伸穿过切换材料的导电桥的状态)及低电阻状态(对应于具有延伸穿过切换材料的导电桥的状态)，其中此类状态可彼此可逆地互换。参考图1，说明在对应于高电阻状态(HRS)及低电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器单元，其包括：一对电极，所述电极是第一电极及第二电极，所述第一电极在所述第二电极上方；所述电极之间的第一切换区及第二切换区；所述第一切换区在所述第二切换区上方；所述第一切换区包括第一离子缓冲层及第一电介质层；所述第二切换区包括第二离子缓冲层及第二电介质层；其中所述第一离子缓冲层及所述第二离子缓冲层包括CuZrAlTeO，其中所述化学式列出主要成分而非指定特定理想配比；所述第一切换区与所述第一电极之间的离子源区；所述第二切换区通过所述第一切换区与所述离子源区隔开；其中所述第一电介质层比所述第二电介质层厚；其中所述第一离子缓冲层及所述第二离子缓冲层分别包括第一碲浓度及第二碲浓度；且其中所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.12 US 14/825,0871.一种存储器单元，其包括：一对电极，所述电极是第一电极及第二电极，所述第一电极在所述第二电极上方；所述电极之间的第一切换区及第二切换区；所述第一切换区在所述第二切换区上方；所述第一切换区包括第一离子缓冲层及第一电介质层；所述第二切换区包括第二离子缓冲层及第二电介质层；其中所述第一离子缓冲层及所述第二离子缓冲层包括CuZrAlTeO，其中所述化学式列出主要成分而非指定特定理想配比；所述第一切换区与所述第一电极之间的离子源区；所述第二切换区通过所述第一切换区与所述离子源区隔开；其中所述第一电介质层比所述第二电介质层厚；其中所述第一离子缓冲层及所述第二离子缓冲层分别包括第一碲浓度及第二碲浓度；且其中所述第二碲浓度比所述第一碲浓度高；且其中所述第一离子缓冲层及所述第二离子缓冲层分别包括第一铝浓度及第二铝浓度；且其中所述第二铝浓度比所述第一铝浓度低。2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一离子缓冲层比所述第二离子缓冲层厚。3.一种存储器单元，其包括：第二电极，其与第一电极隔开；离子源区，其靠近所述第一电极；所述离子源区与所述第二电极之间的交替的离子缓冲层及电介质层的堆叠；所述堆叠包括切换区，其中每一切换区对应于与所述电介质层中的相邻者配对的所述离子缓冲层中的一者；其中所述离子缓冲层中的第一者比所述离子缓冲层中的第二者更靠近所述离子源区；其中所述第一离子缓冲层比所述第二离子缓冲层厚；其中所述第一离子缓冲层及所述第二离子缓冲层包括Cu...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·V·N·拉马斯瓦米，D·W·柯林斯，C·W·佩茨，B·R·曲克，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US