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一些实施例包含一种存储器单元，其具有一对电极及所述电极之间的多个切换层级。每一切换层级具有离子缓冲区及电介质区。至少一个切换层级在所述离子缓冲区及/或所述电介质区的厚度及组合物中的一者或两者上与另一切换层级不同。...
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