【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件及其制造方法
相关申请的交叉引用本申请要求于2016年3月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0039294号和于2017年3月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0041414号的优先权的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。本专利技术涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。更具体地,本专利技术涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法,所述半导体器件具有通过消除对现有的底部填充过程的需要而能够大大提高半导体制造过程的效率,并且提高信号传输效率以及传输速度的结构。
技术介绍
最近,随着电子设备朝小型化、高功能化和大容量的趋势日益扩大,对半导体封装件的致密化和高集成度的需求迅速增加,半导体芯片的尺寸变得越来越大。就提高集成度而言,用于以多级式堆叠芯片的堆叠封装方法逐渐增加。对于堆叠封装方法,已知线接合(wirebonding)法,其中金属(例如金或铝)线使半导体片状器件的电极部分和设置在引线框层或杆上的导体层相互连接;和倒装芯片法,其中通过使半导体芯片下表面上的电极图案直接熔融至电路板来附接半导体晶片,而不使用额外的连接结构,例如金属引线(线)或单独的介质如球栅阵列(BGA)。同时,为了增加半导体器件的信号传输的容易性和控制半导体元件的操作,提供了半导体控制器件(控制器)。然而,当半导体控制器件未被适当地固定时,其将降低半导体封装件的信号传输效率或传输速度,在多级堆叠封装的过程中使半导体器件的结构不稳定,和/或降低半导体器件的制造产率和可靠性。此外,为了保护集成电路(IC)和类似器件,通常使用各种树脂( ...
【技术保护点】
一种半导体器件,包括:通过倒装芯片连接固定至粘附体上的第一半导体元件;用于包埋所述粘附体与所述第一半导体元件之间的空间以及包埋所述第一半导体元件的粘合层;以及通过所述粘合层连接至所述第一半导体元件的第二半导体元件,其中所述粘合层在110℃的温度和5rad/秒的剪切速率下的熔体粘度为10Pa·s至10000Pa·s,以及其中由所述粘合层在0.5rad/秒的剪切速率和110℃的温度下的熔体粘度与所述粘合层在5rad/秒的剪切速率和110℃的温度下的熔体粘度之比所定义的触变指数为1.5至7.5。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 KR 10-2016-00392491.一种半导体器件,包括:通过倒装芯片连接固定至粘附体上的第一半导体元件;用于包埋所述粘附体与所述第一半导体元件之间的空间以及包埋所述第一半导体元件的粘合层;以及通过所述粘合层连接至所述第一半导体元件的第二半导体元件,其中所述粘合层在110℃的温度和5rad/秒的剪切速率下的熔体粘度为10Pa·s至10000Pa·s,以及其中由所述粘合层在0.5rad/秒的剪切速率和110℃的温度下的熔体粘度与所述粘合层在5rad/秒的剪切速率和110℃的温度下的熔体粘度之比所定义的触变指数为1.5至7.5。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中用于包埋所述粘附体与所述第一半导体元件之间的空间以及包埋所述第一半导体元件的所述粘合层可以是连续相。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述粘合层包含玻璃化转变温度为-10℃至30℃的热塑性树脂、具有不同粘度的两种或更多种液体环氧树脂和含有酚树脂的固化剂。4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述具有不同粘度的两种或更多种液体环氧树脂包括在25℃下熔体粘度为1mPa·s至500mPa·s的低粘度液体环氧树脂。5.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述具有不同粘度的两种或更多种液体环氧树脂包括在25℃下熔体粘度为1000mPa·s至20000mPa·s的高粘度液体环氧树脂。6.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述粘合层以1:10至10:1的重量比包含在25℃下熔体粘度为1mPa·s至500mPa·s的低粘度液体环氧树脂和在25℃下熔体粘度为1000mPa·s至20000mPa·s的高粘度液体环氧树脂。7.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述热塑性树脂包括基于(甲基)丙烯酸酯的树脂,所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含含有基于环氧的官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元。8.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含0.1重量%至25重量%的含有基于环氧的官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元。9.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述粘合层还包含固体环氧树脂。10.根据权利要求9所述的半导体器件,其中所述固体环氧树脂的软化点为50℃至120℃。11.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述具有不同粘度的两种或更多种液体环氧树脂与所述酚树脂的重量比为0.3至1.5。12.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述酚树脂的软化点为60℃或更高。13.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述固化剂还包括选自...
【专利技术属性】
技术研发人员:金丁鹤,金熹正,金塞拉,李光珠,南承希,金荣国,
申请(专利权)人:株式会社LG化学,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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