半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:17746654 阅读:44 留言:0更新日期:2018-04-18 20:19
本发明专利技术提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法,在以往的逆变器装置中,针对端子的内部连接的处理变得复杂而很难使装置小型化。所述半导体装置具备:框架;设置于框架的第一侧部的第一外部端子;第一基板,其收纳于框架,在上表面具有第一导电层;第一半导体元件,其搭载在第一导电层上,在下表面具有与第一导电层连接的第一主电极,在上表面具有第二主电极及控制电极;第一端子连接部,其将第一半导体元件与第一外部端子之间的第一导电层的露出部分和第一外部端子之间连接;第一外部控制端子,其设置在框架中的第一半导体元件的第一主电极起到第一外部端子之间的布线的上方;第一控制端子连接部,其在第一半导体元件的第一主电极起到第一外部端子之间的布线的上方,将第一半导体元件的控制电极与第一外部控制端子之间连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往,在马达驱动用的电力转换装置等中,使用在大电流、高电压的动作环境下也具有耐性的3相输出的逆变器装置(例如,参照专利文献1、2)。这样的逆变器装置具有作为进行开关的臂的多个半导体元件。各半导体元件具有温度感测用二极管及IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)元件等。专利文献1:日本特开2012-64677号公报专利文献2:日本特开2015-185834号公报
技术实现思路
技术问题但是,在以往的逆变器装置中,必须设置P侧及N侧的电源端子以及各相的输出端子这样的流通大电流的端子、用于各相的P侧臂(上臂)及N侧臂(下臂)的控制的各种控制端子,针对这些端子的内部连接的处理变得复杂,很难使装置小型化。技术方案(项目1)在本专利技术的第一方式中,提供一种半导体装置。半导体装置可以具备框架。半导体装置可以具备设置于框架的第一侧部的第一外部端子。半导体装置可以具备收纳于框架且在上表面具有第一导电层的第一基板。半导体装置可以具备第一半导体元件,所述第一半导体元件搭载在第一导本文档来自技高网...
半导体装置及半导体装置的制造方法

【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于,具备:框架;第一外部端子,其设置于所述框架的第一侧部;第一基板,其收纳于所述框架,并且在上表面具有第一导电层;第一半导体元件,其搭载在所述第一导电层上,并且在下表面具有与所述第一导电层连接的第一主电极,在上表面具有第二主电极及控制电极;第一端子连接部,其将所述第一导电层的露出部分和所述第一外部端子之间连接,所述第一导电层的所述露出部分位于所述第一半导体元件与所述第一外部端子之间;第一外部控制端子,其设置在所述框架中的所述第一半导体元件的所述第一主电极起到所述第一外部端子之间的布线的上方;第一控制端子连接部,其在所述第一半导体元件的所述第一主电极起到所述第一外部端子之...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.22 JP 2016-0564551.一种半导体装置,其特征在于,具备:框架;第一外部端子,其设置于所述框架的第一侧部;第一基板,其收纳于所述框架,并且在上表面具有第一导电层;第一半导体元件,其搭载在所述第一导电层上,并且在下表面具有与所述第一导电层连接的第一主电极,在上表面具有第二主电极及控制电极;第一端子连接部,其将所述第一导电层的露出部分和所述第一外部端子之间连接,所述第一导电层的所述露出部分位于所述第一半导体元件与所述第一外部端子之间;第一外部控制端子,其设置在所述框架中的所述第一半导体元件的所述第一主电极起到所述第一外部端子之间的布线的上方;第一控制端子连接部,其在所述第一半导体元件的所述第一主电极起到所述第一外部端子之间的布线的上方,将所述第一半导体元件的所述控制电极与所述第一外部控制端子之间连接。2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一控制端子连接部具有键合线,所述键合线将所述第一半导体元件的所述控制电极与所述第一外部控制端子之间电连接。3.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一控制端子连接部具有:控制布线基板,其具有与所述第一外部控制端子连接的控制布线层;键合线,其将所述第一半导体元件的所述控制电极与所述控制布线基板的所述控制布线层电连接。4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,所述第一外部控制端子从所述第一外部控制端子与所述控制布线基板的连接部起向所述框架的上方延伸。5.如权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,在所述控制布线基板的下表面与所述第一端子连接部的上表面之间设置有所述框架的树脂部件。6.如权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,所述控制布线基板的下表面的绝缘部与所述第一端子连接部的上表面连接。7.如权利要求2至6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述第一半导体元件具有多个所述控制电极,多个所述第一外部控制端子分别与所述第一半导体元件的对应的所述控制电极电连接,多个所述第一外部控制端子分别设置在所述第一半导体元件的所述第一主电极起到所述第一外部端子之间的布线中的至少一个布线的上方。8.如权利要求2至7中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述键合线在俯视时以与所述第一端子连接部平行的方式布线。9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体装置,其特征在于,还具备:第二基板,其收纳在所述框架中的与所述第一侧部对置的第二侧部和所述第一基板之间,并且在上表面具有第二导电层;以及第二半导体元件,其搭载在所述第二导电层上,并且在下表面具有与所述第二导电层连接的第一主电极,在上表面具有第二主电极及控制电极,所述第二半导体元件的所述第二主电极与所述第一导电层电连接。10.如权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,还具备:第二外部控制端子,其设置在所述框架中的所述第二侧部与所述第二半导体元件之间的上方、或者设置在所述第二侧部;第二控制端子连接部,其将所述第二半导体元件的所述控制电极与所述第二外部控制端子之间连接。11.如权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,包含所述第一外部端子、所述第一外部控制端子、所述第一半导体元件、所述第一端子...

【专利技术属性】
技术研发人员:征矢野伸
申请(专利权)人:富士电机株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1